平板显示技术第七章有机发光二极管显示模板.pptVIP

OLED （organic light emitting display） （organic light emitting diodes) Organic EL (organic electroluminescence) 有机电致发光，有机EL;;学科发展背景;OLED墙纸 ;OLED圣诞树;;清华大学于1996年开始从事有机EL的研究工作，几年来，在材料制备、设备研制和器件开发上均取得了显著进展。 ;7.1 概述;研究历史;?1987年，C.W.Tang等人制得了第一个有实用意义的有机电致发光器件（OLED） ? 1990年剑桥的Friend 等报导了低电压驱动的 PLED ? 1992年Heeger等发明了柔性高分子显示器件 ? 1997年Forrest等发现磷光电致发光现象 1997年，日本Pioneer推出了世界第一个商品化的有机平板显示产品(车载音响) 1998年，Cambridge Display Technology公司展示了第一个PLED单色显示屏 2000年摩托罗拉推出第一款OLED手机P8767 2005年，我国第一条OLED大规模生产线在江苏昆山开始兴建;有机电致发光技术特点： ;LED与OLED的比较;与LCD相比，OLED的优势： ;;;“佛山造” OLED平板显示器; OLED国内企业概况;国际市场竞争;;;;7.2 OLED工作原理;发光原理; 物理机制 激发态分子不稳定，它要以辐射或无辐射跃迁的方式回到基态。;;;7.3 有机发光器件的结构 ;OLED基本结构;;2 双层结构 由两层不同功能的有机材料共同构成OLEDs，根据材料的作用不同，可分为两种类型， 一种是由有机电子传输材料既做电子传输层ETL又做发光层ELL，与有机空穴传输材料做成的空穴传输层HTL一起构成OLEDs； 另一种是HTL、ELL公用一层有机材料，ETL单独为一层有机材料。;结构尺寸示例;;3 三层结构 由空穴输运层HTL /发光层ELL /电子输运层ETL3层有机材料构成。 各层有机材料各施其职，HTL负责调节空穴的注入速度和注入量，ETL负责调节电子的注入速度和注入量， 注入的电子和空穴在ELL中因库仑相互作用，相互束缚形成激子，激子退激辐射出光子。 这种结构便于调整OLEDs的电光特性，是常采用的结构。;;PMOLED单纯地以阴极、阳极构成矩阵状，以扫描方式点亮阵列中的像素,每个像素都是操作在短脉冲模式下,为瞬间高亮度发光。 优点是结构简单，可以有效降低制造成本，然而驱动电压高，不适合应用在大尺寸与高分辨率面板上。 ;AMOLED则是采用独立的TFT去控制每个像素,每个像素皆可以连续且独立的驱动发光，可以使用低温多晶硅或者氧化物TFT驱动， 优点是驱动电压低，发光元件寿命长。不过高成本以及制作工艺更为复杂。;;AMLCD and AMOLED;39; 无源驱动 显示基板上的显示区域仅仅是发光象素（电极，各功能层），所有的驱动和控制功能由集成IC完成（IC 可以置于在基板外或者基板上非显示区域）。 ;动态驱动:显示屏上象素的两个电极做成了矩阵型结构，即水平一组显示像素的同一性质的电极是共用的，纵向一组显示像素的相同性质的另一电极是共用的。如果象素可分为N行和M列，就可有N个行电极和M个列电极，我们分别把它们称为行电极和列电极。 为了点亮整屏象素，将采取逐行点亮或者逐列点亮、点亮整屏象素时间小于人眼视觉暂留极限20ms的方法，该方法对应的驱动方式就叫做动态驱动法。; 有源驱动：在显示基板上的显示区域内，每个像素至少配备两个薄膜晶体管和一个电荷存储电容，用于保证 扫描寻址时，扫描一场的周期内，每个像素的发光与否的状态不变。 提高了发光亮度、减少了电极引线的功耗、提高了均匀性和寿命，使大面积高分辨率显示成为可能。;OLED用非晶硅TFT;a-Si TFT的性能;TFT-OLED简单的单元结构;; PSi：将A-Si利用CVD工艺沉淀在基板玻璃上，再对a-Si进行掺杂，结晶后形成PSi; 为了形成需要的形状，还需使用Photo Mask对PSi进行曝光、显影、刻蚀等工艺。 TEOS:利用CVD工艺形成的一种绝缘层，并使P-Si与Gate形成绝缘栅 M1（金属）：在TEOS绝缘层上溅射一层金属，用作栅极、与PSi形成电容等，所需图形要使用Photo Mask对金属进行曝光、显影、刻蚀等工艺。 SiO2：用CVD工艺沉淀SiO2，起绝缘作用；沉淀完的SiO2在经过光刻后形成 源、漏极、电容的接触孔，需要与M1接触的地方也没有SiO2；并通过接触孔对PSi进行离子注入，形成沟道;M2（金属）：利用溅射工艺溅射另一种金属，