平板显示技术第四章01TFT液晶显示器的结构与制备概述.ppt

第四章 TFT液晶显示器的 结构与制备;;;;;;;4.1 薄膜晶体管液晶结构;;;TFT-LCD的基本构成;TFT-LCD液晶屏实物图;;AMLCD的种类;4.1.1 TFT型液晶显示器;TFT-LCD结构;;TFT AM LCD是在两块玻璃之间封入TN型液晶构成的。 下基板制备有作为像素开关的TFT器件、显示用的透明像素电极、存储电容、控制TFT栅极的扫描线（行）、控制TFT源端的信号线（列）等。 上基板制备彩色滤色膜和遮光用的黑矩阵，并在其上制备透明的公共电极。 在两片玻璃基板的内侧制备取向层，使液晶分子定向排列。 两片玻璃之间灌注液晶，并通过封框胶粘结，同时起到密封的作用。在基板上均匀散布一些衬垫（spacer），保证间隙的均匀性。 为了将上基板的公共电极引到下基板以便和外围的集成电路相连，需在两片玻璃之间采用银点胶制备连接点（contact）。 两片玻璃基板的外侧分别贴有偏振片。 此外，非晶硅TFT的栅线和信号线需要与外部的驱动集成电路和PCB电路板相连，下基板比上基板略大，其边缘制备有压焊点。;透射式TFT LCD侧视图;20;4.1.2 TFT阵列面板;G1;;TFT显示像素单元;（1）1934年第一个TFT的发明专利问世-----设想.;（3）1962年，第一个MOSFET实验室实现.;;TFT的种类;TFT的主要应用;TFT 阵列面板的微观形貌;柔性基底上制备的超高频RFCPU芯片;基于有机TFT的全打印7阶环形振荡器电路;3. 敏感元件，如： 气敏、光敏、PH值测定;TFT的常用器件结构;4.2.2 TFT Array 工作原理;TFT的工作原理： 输入信号通过TFT元件对液晶电容进行充放电 加保持电容，使液晶电容上的信息保持到下次新画面 ; Switch On时信号写入液晶电容，此时，TFT组件成低阻抗(RON)，当OFF时TFT组件成高阻抗(ROFF)，可防止信号线数据的泄漏。一般RON与ROFF电阻比至少约为105以上。 不论TFT板的设计如何的变化, 其结构一定需具备TFT device和控制液晶区域.;TFT-LCD电路结构;TFT单元的等效电路;;TFT Array; 场效应晶体管是一种电压控制器件，用输入电压控制输出电流的半导体器件，仅由一种载流子参与导电。从参与导电的载流子来划分，它有电子作为载流子的N沟道器件和空穴作为载流子的P沟道器件。 MOSFET基本上是一种左右对称的拓扑结构，它是在P型半导体上生成一层SiO2 薄膜绝缘层，然后用光刻工艺扩散两个高掺杂的N型区，从N型区引出电极，分别是漏极D和源极S。在源极和漏极之间的绝缘层上镀一层金属作为栅极G。P型半导体称为衬底，用符号B表示。;;TFT的特性;TFT元件的运作原理;;(2)VgsVth：信号保持;4.2.3 TFT-LCD的显示过程;;;当第一行栅线加上扫描信号时，第一行上的所有TFT成为导电状态（有源层的电子由价带跃迁到导带，形成可以自由移动的电子），使得数据线加上数据信号（自由移动的电子可以沿着电场方向移动形成电流），通过TFT加到像素电容和存储电容上，并由各自的数据信号电压充电。 扫描下一个栅线时，第一行栅线所选择的所有的像素，从数据线上断电。由像素电容和存储电容来保持，保持的电荷可以储存到最后一行扫描结束。反复进行同样的动作，完成1帧的驱动。;;对TFT的要求：;1. 临界电压：Vth 2. 电子迁移率：un 3. Ion/Ioff 4. 开口率(Aperture Ratio) (1)TFT；(2)GateSource 线；(3)Cst； (4)上下基板对位误差；(5)Disclination of LC 5. DC Voltage Offset 6. 信号传输时的时间延迟及失真(Distortion);开口率;单元像素的大小;4.2.4 TFT的种类(1) α-Si TFT;沟道保护膜;?-Si FET的工作原理：;a-Si TFT的结构;a-Si TFT的结构;a-Si TFT的结构;;?-Si FET的优点：;（2）多晶硅薄膜晶体管有源矩阵;低温多晶硅（LTPS）;低温多晶硅自1991年就开始有研究样品，直到1996年低温多晶硅TFT-LCD才真正进入量产。Sharp、SONY的生产线为320mmx400mm基板。 大型、高精细低温多晶硅TFT问世，是由Seiko Epson在1995年所试作的10.4吋面板，而最初的System On Glass技术是由东芝于1997年为量产所试作的12.1吋面板。 所谓的低温，是指制程温度在600℃以下，利用准分子激光作为热源，产生能量均匀分布的激光束，投射于非晶硅结构的玻璃基板上。 当非晶硅薄膜吸收能量後，原子重新排列，形成