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薄膜材料制备技术Thin Film Materials Nanotechnology 北京科技大学材料科学学院 唐伟忠 Tel: 6233 2475 E-mail: wztang@ 课件下载网址： wztang_teaching@ 下 载 密 码： 123456 第三讲 薄膜材料制备的溅射法 Preparation of thin films by sputtering 提 要 气体的放电现象与等离子体 物质的溅射效应和溅射产额 各种各样的溅射技术 物理气相沉积 物理气相沉积（PVD）是利用某种物理过程 ?? 物质的热蒸发或在受到粒子轰击时物质表面原子的溅射等，实现物质原子从源物质到薄膜的物质的可控转移 溅射法与蒸发法一样, 也是一种重要的薄膜 PVD 制备方法 溅射法制备薄膜的物理过程 薄膜溅射法的分类 直流溅射（即二极溅射） 三极、四极溅射 磁控溅射 射频溅射 偏压溅射 反应溅射 中频孪生靶溅射和脉冲溅射 离子束溅射 低压时等离子体密度低，溅射速率低 高压时气体分子对溅射粒子的散射严重，溅射速率低 化合物? : 热蒸发时分解的可能性 ????????????????????????????????? 过程类型 化学反应 实例 注释 ????????????????????????????????? 无分解蒸发 MX(s或l)?MX(g) SiO2, B2O3, 薄膜成分与原 AlN, CaF2 始成分相同 固态或液态分解蒸发 MX(s)?M(s)+(1/2)X2(g) Ag2S, Ag2Se 沉积物化学成 MX(s)?M(l)+(1/n)Xn(g) III-V化合物 分发生偏离 需使用独立的 蒸发源 气态分解蒸发 硫属化合物 MX(s)?M(g)+(1/2)X2(g) CdS, CdSe 同上 氧化物 MO2(s)?MO(g)+(1/2)O2 SiO2, TiO2 沉积物缺氧； 可在氧气氛中 沉积 ????????????????????????????????? 第三讲 小结 薄膜材料可使用在一定气氛条件下进行的溅射方法来制备。溅射方法最主要的优点是其可以灵活地被用于制备各种化学成分的薄膜 等离子体中的电子具有高能量和高速度，它是等离子体中能量的主要传递者，并会导致形成等离子体鞘层； 被电压加速的离子对靶物质产生溅射效应 物质被溅射的能力被称为溅射产额，它的变化幅度不很大 被溅射出的原子具有比热蒸发时相对高的能量 溅射法含盖了多种不同的技术，其组合使得溅射法的应用十分广泛和灵活 基本概念复习 以溅射方法制备薄膜时所发生的基本物理过程与所需的设备构成 气体的放电现象和描述气体辉光放电条件的帕邢曲线 辉光放电等离子体密度的概念、不同粒子能量分布的特点 理解处于等离子体中的物体会产生鞘层电位的现象 溅射产额的概念以及溅射产额的变化规律 合金、化合物在溅射过程中保证薄膜化学成分的可能性 基本概念复习 气体压力对溅射法中薄膜沉积速率的影响规律和其原因 磁控溅射方法的基本原理和其优点 射频溅射时靶材上产生自偏压的现象 射频溅射方法的特点 反应溅射时靶中毒、阳极消失、靶放电现象的内在原因 主要的溅射方法和它们之间的相关关系 思 考 题 叙述等离子体鞘层电位的形成原因以及直流溅射情况下电位的分布 讨论15wt.%Ti-W薄膜溅射沉积的可能性。估计400eV氩离子溅射的情况下,靶表面的化学成分 说明直流溅射时,薄膜沉积速率随气体压