电感耦合等离子体CVD低温生长硅薄膜过程中的铝诱导晶化!.pdf

第 卷 第 期 年 月 物 理 学 报 ’ ) %$$’ ) ， ， ， +N/ 2’ HN 2 ) 9;5B;O? %$$’ （ ） )$$$4#%I$J%$$’J’ $) J$%(I4$’ .*K. ELM0F*. 0FHF*. %$$’ *15 2 E?P 2 0NC 2 电感耦合等离子体 !# 低温生长硅薄膜 过程中的铝诱导晶化! 王晓强 栗军帅 陈 强 祁 菁 尹 贺德衍! （兰州大学物理系，兰州 #$$$$ ） （ 年 月 日收到； 年 月 日收到修改稿） %$$ # ’ %$$ ( )) 利用电感耦合等离子体 方法在 的低温下在镀 玻璃衬底上制备出具有良好结晶性的 薄膜 利 *+, #’$- ./ 01 2 用 射线衍射、紫外 可见分光椭圆偏振谱、原子力显微镜及 射线光电子谱等研究了薄膜的结构、表面形貌和成分 3 4 3 分布等 结果表明，用这种方法制备的 薄膜不但晶化程度高，而且具有良好的（ ）结晶取向性，晶粒尺寸大于 2 01 ))) ，样品中无 的残留 结合电感耦合等离子体的高电子密度特征讨论了低温生长过程中 诱导 薄膜晶化 #$$ 56 ./ 2 ./ 01 的机理2 关键词：电感耦合等离子体 ， 诱导晶化， 薄膜，低温生长 *+, ./ 01 ： ， ， ， $%!! ($7 (8%% %8$9 8)#$ 高薄膜的生长速率和结晶质量，一些高密度等离子 )D 引 言 体，如电子回旋共振等离子体、表面波等离子体、电 感耦合等离子体（ ）等也被广泛应用在薄膜生长 F*E ［— ］ 在半导体材料领域， 薄膜的低温生长引起了 中’ )) 01 2 人们的关注，这一方面是因为它们在大面积微电子 另一方面，非晶薄膜的激光退火晶化、金属诱导 和光电子器件，如太阳电池、薄膜晶体管中的实际应 晶化等方法也被用来低温制备结晶 薄膜 实验发