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中文摘要
杂化材料。采用溶剂热法制备的过程当中，我们通过调整Cu2+和Sn2+的投料摩
尔比来改变最终所得的半导体纳米粒子的组成。当Cu／Sn投料比为3：1和2：l时，
碳纳米管上生成了Cu2SnS3和Sn02纳米粒子。本章除了对所合成的一系列杂化
材料进行光谱和电镜等表征之外，还用开孔Z扫描技术测量了部分杂化材料的
光限幅性质。碳纳米管表面修饰上一层纳米粒子之后的纳米杂化材料的光限幅性
能与纯化的碳纳米管相比有了明显的提高。更重要的～点在于，我们可以通过改
变负载在碳纳米管表面的半导体纳米粒子的种类来改变纳米杂化材料的光限幅
性能。这种在碳纳米管上负载不同种类的半导体纳米粒子所得的杂化材料在激光
防护方面可能具有更广泛的应用前景。
然后以油胺、油酸、十八烯作为溶剂和表面活性剂在反应釜中通过高温高压热解
前躯体配合物制备MWCNTS／CuInS2纳米杂化材料。这种方法非常有效，因为碳
纳米管并没有通过浓酸氧化处理，也没有在其表面用聚电解质修饰，并且最终我
料。我们还比较了在不同溶剂体系、反应时间、反应温度和反应物投料量条件下
前躯体，单纯用铟和铜的氯化物并不能成功制备CuInS2均匀修饰在MwCNTS
上的MWCNT／CuInS2杂化材料。我们对使用前躯体配合物所制备的
MWCNT／CuInS2纳米杂化材料进行一系列的光谱和电镜表征，最后还运用Z扫
描技术研究了制备的MWCNT／CuInS2纳米杂化材料的光限幅性能，发现经
CuInS2纳米粒子修饰后，碳纳米管的光限幅性能明显提高。
第四章对本论文所得的重要结论进行了整理，并展望了所制备的杂化材料在
非线性光学领域的应用前景。
关键词：碳纳米管；半导体纳米粒子；三元硫属化合物；光限幅
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