第1章 电力电子器件4552.pptVIP

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  • 2019-05-04 发布于浙江
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* 2.4.3 电力场效应晶体管 ?输出特性 √是MOSFET的漏极伏安特性。 √截止区(对应于GTR的截止区)、饱和区(对应于GTR的放大区)、非饱和区(对应于GTR的饱和区)三个区域,饱和是指漏源电压增加时漏极电流不再增加,非饱和是指漏源电压增加时漏极电流相应增加。 √工作在开关状态,即在截止区和非饱和区之间来回转换。 ?本身结构所致,漏极和源极之间形成了一个与MOSFET反向并联的寄生二极管。 ?通态电阻具有正温度系数,对器件并联时的均流有利。 图2-21 电力MOSFET的转移特性和输出特性 b) 输出特性 * ◆动态特性 ?开通过程 √开通延迟时间td(on) 电流上升时间tr 电压下降时间tfv 开通时间ton= td(on)+tr+ tfv ?关断过程 √关断延迟时间td(off) 电压上升时间trv 电流下降时间tfi 关断时间toff = td(off) +trv+tfi ?MOSFET的开关速度和其输入 电容的充放电有很大关系,可以降 低栅极驱动电路的内阻Rs,从而减 小栅极回路的充放电时间常数,加 快开关速度。 2.4.3 电力场效应晶体管 信号 i D

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