西安交通大学微电子制造技术第十七章掺杂.pptVIP

微电子制造技术第 17 章 掺 杂 概 述 本征硅的导电性能很差，是不能直接用于芯片制造的，只有在硅中加入一定的杂质，使电导率发生明显变化时，硅才可以用于半导体制造。在硅中加入杂质的过程称为掺杂。 掺杂是制造半导体器件的基础，掺杂的方式有热扩散和离子注入。常用的杂质是Ⅲ族和Ⅴ族元素中的硼（B）和磷（P）。 芯片特征尺寸的不断减小和集成度的不断增加，迫使各种器件尺寸不断缩小。特别是MOS器件沟道长度的减小要求源漏结的掺杂区更浅，现在最小的结深是30nm。 本章重点 1. 解释掺杂在芯片制造过程中的目的和应用； 2. 讨论杂质扩散的原理和过程； 3. 了解离子注入相对于热扩散的优缺点； 4. 讨论剂量和射程在离子注入中的重要性； 5. 列举并描述离子注入机的5各主要子系统； 6. 解释离子注入中的退火效应和沟道效应； 7. 描述离子注入的各种应用。 表17.1 半导体制造常用杂质 掺杂在芯片制造中的应用 表17.2 CMOS 制作中的一般掺杂工艺 掺 杂 区 硅片的掺杂是在单晶硅生长过程中完成的，可以形成p型或者n型硅。在芯片制造过程中有选择地引入杂质是为了实现各种器件结构。杂质是通过硅片上的掩膜窗口有选择性地进入硅的晶体结构中，形成掺杂区(见图17.3)。描述掺杂区的特性参数有掺杂量(包括杂质的分布形式)和结