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- 2019-05-04 发布于浙江
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模拟电子技术基础教程 河北科技大学信息学院基础电子教研室 习题解答 输出特性曲线 转移特性曲线 符号 类型 P沟道增强型绝缘栅型场效应管 N沟道增强型绝缘栅型场效应管 注意: UGS(th) N 0 UGS(th) P 0 NMOS管为电压控制器件,当 uGSUGS(th) N ,MOS 管导通。 PMOS 管为电压控制器件,当 uGS UGS(th) P ,MOS 管导通。 输出特性曲线 转移特性曲线 符号 类型 P沟道耗尽型绝缘栅型场效应管 N沟道耗尽型绝缘栅型场效应管 五、 场效应管的主要参数 2. 夹断电压UGS(off) :UDS一定时,使iD减小到规定的微小 电流时所需的uGS值——耗尽型场效应管的参数。 1. 开启电压UGS(th):当UDS一定时,使漏极电流iD0时所需加的UGS值—增强型场效应管的参数。 3. 饱和漏极电流IDSS :耗尽型场效应管,当UGS=0时, 对应的漏极电流。 4. 低频跨到gm: gm数值的大小表示uGS对iD的控制作用——动态参数。 场效应管与晶体管在电路中的作用类似,在数字电路中作为开关元件,在模拟电路中起放大作用。但是 晶体管是电流控制元件,由iB控制iC; 场效应管是电压控制元件,由uGS控制iD ; ——实现能量的控制。 六、场效应管与三极管的比较 双极型晶体管能量控制方式:i
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