第五章MCS-51单片机储器扩展.pptVIP

* §5-1 常用存储器 §5-2 MCS-51单片机扩展三总线构成 §5-3 MCS-51单片机程序存储器扩展 §5-4 MCS-51单片机数据存储器扩展 §5-5 选址译码方法与混合扩展 ●教学目的：本章主要学习MCS-51单片机存储器的扩展，包括单片机常用存储器性能特点和主要芯片等。在扩展总线的基础上，主要学习MCS-51单片机扩展程序存储器、数据存储器以及混合扩展的技术方法等。通过本章的学习，同学们应能掌握单片机与外部扩展芯片的连线方法，地址计算以及部分编程要领。 第五章 MCS-51单片机存储器扩展 §5-1 常用存储器芯片 一、RAM及常用静态RAM芯片 RAM为随机存储器，分为TTL双极型和MOS单极型，SRAM为静态RAM，只要正常持续供电，即保持数据；DRAM为动态RAM，必须进行周期性刷新才能保持数据，单片机应用SRAM。 目前常用的SRAM有6116，6264,62256等。 管脚介绍： A0-AX 地址总线 D0-D7 数据总线 VCC、GND电源与地 \CE 片选信号，低电平有效。该管脚为0时，才能对该芯片写入或读出； \OE 读选通，接单片机的\RD管脚； \WE 写允许，接单片机的\WR管脚。 §5-1 常用存储器芯片 二、ROM常用芯片 ROM为只读存储器，特殊方式写入。按原理可分为：①掩膜ROM，厂家生产芯片时将内容写入；② PROM芯片出厂后可一次写入；③可擦除的ROM，可重复编程使用。目前主要为EPROM，EEPROM和FLASH。 目前常用的EPROM有2764，27128, 27256等。 管脚介绍： A0-AX 地址总线 O0-O7 数据总线 VCC、GND电源与地 \CE 片选信号，低电平有效。该管脚为0时，才能对该芯片进行编程或读出数据的操作； \OE 允许数据输出选通信号线，只有该管脚有效（为低）时，内容才能被读出，接单片机的\PSEN端。 VPP、PGM编程脉冲线。 §5-1 常用存储器芯片 三、EPROM芯片图片 EPROM芯片与编程器图片 §5-1 常用存储器芯片 三、EEPROM常用芯片 EEPROM为电可擦除程序存储器，主要由在线编程写入。 目前常用的有两种，一种为串行的，一种为并行的。串行的常用作数据保存，而作为程序存储器应选择并行的。目前主要有2817、2864等。 FLASH为闪速存储器，是新型非易失大容量存储器件，速度快，容量大。 管脚介绍： A0-AX 地址总线 I/O0-I/O7 数据总线 VCC、GND电源与地 \CE 片选信号，低电平有效。该管脚为0时，才能对该芯片进行编程或读出数据的操作； \OE 允许数据输出选通信号线，只有该管脚有效（为低）时，内容才能被读出，接单片机的\PSEN端。 RDY/BUSY数据写入式的状态查询，若为高则可写入。 §5-2 MCS-51单片机扩展三总线构成 一、三总线的概念 地址总线AB 数据总线DB 控制总线是单片机发出的一组用于片外ROM、RAM和I/O端口读写操作控制的信号线。 二、扩展三总线的构成 P0作为数据与低8位地址总线的复用线； P2作为地址的高8位，如果有其中一条用作了地址线，其余的也不能再作为I/O使用； 控制： ALE端 地址锁存的选通信号，以实现对P0口输出低8位地址的锁存； PSEN端 连接外部EPROM的\OE端，作为其选通信号； EA端：作为低4KB程序的片内外选择端，为高时，应用片内程序存储器； RD端：作为外扩RAM或I/O端口的读选通信号； WR端：作为外扩RAM或I/O端口的写选通信号。 §5-2 MCS-51单片机扩展三总线构成 MCS-51扩展三总线及其实现 §5-3 MCS-51单片机程序存储器扩展 一、应用27128扩展16KB 外扩16KB EPROM的连线方式 §5-3 MCS-51单片机程序存储器扩展 二、应用27128扩展16KB的地址计算 A0-A13—P0,P2.0-P2.5 A14-P2.6—\CE A15-P2.7 因27128无A15，因此，此管脚要注意。 最后单元 0 0 1 1 …… 1 1 1 1 3FFFH 次最后单元 0 0 1 1 …… 1 1 1 0 3FFEH 第二单元 0 0 0 0 …… 0 0 0 0 0001H 第一单元 0 0 0 0 …… 0 0 0 0 0000H 被寻址单元 A15 A