天津磁场模拟[1].doc

天津市宝坻区2013年高三综合模拟试卷 CDEF C D E F UCD B I A．电势差UCD仅与材料有关 B．若霍尔元件的载流子是自由电子，则电势差UCD0 C．仅增大磁感应强度时，电势差UCD变大 D．在测定地球赤道上方的地磁场强弱时，元件的工作面应保持水平 12．（20分）如图所示，一质量为m、电荷量为q、重力不计的微粒，从倾斜放置的平行电容器I的A板处由静止释放，A、B间电压为U1。微粒经加速后，从D板左边缘进入一水平放置的平行板电容器II，由C板右边缘且平行于极板方向射出，已知电容器II的板长为板间距离的2倍。电容器右侧竖直面MN与PQ之间的足够大空间中存在着水平向右的匀强磁场（图中未画出），MN与PQ之间的距离为L，磁感应强度大小为B，在微粒的运动路径上有一厚度不计的窄塑料板（垂直纸面方向的宽度很小），斜放在MN与PQ之间，=45°。求： CD C D M P N Q L B A Ⅱ m q ? U1 I （2）电容器IICD间的电压； （3）假设粒子与塑料板碰撞后，电量和速度大小不变、 方向变化遵循光的反射定律，碰撞时间极短忽略不计， 微粒在MN与PQ之间运动的时间和路程。 天津市和平区2013届高三第二次质量调查 11．（18分）如图所示，在—个圆形区域内，两个方向相反且都垂直于纸面的匀强磁场分布在以直径为边界的两个半圆形区域I、II中，与的夹角为。—质量为m、带电量为+q的粒子以某—速度从I区的边缘点处沿与成角的方向射入磁场，随后该粒子以垂直于的方向经过圆心O进入II区，最后再从处射出磁场。已知该粒子从射入到射出磁场所用的时间为t，（忽略粒子重力）。 求：(1)画出粒子在磁场I和II中的运动轨迹；． (2)粒子在磁场I和II中的轨道半径和比值； (3)I区和II区中磁感应强度的大小 天津市和平区2013届高三物理第一次质量调查 3．如图所示，一个边长L、三边电阻相同的正三角形金属框放置在磁感应强度为B的匀强磁场中。若通以图示方向的电流(从A点流入，从C点流出)，电流强度I，则金属框受到的磁场力为 A．0 B．ILB C．ILB D．2ILB 12．(20分)如图所示，方向垂直纸面向里的匀强磁场的边界，是一个半径为r的圆，圆心O1在x轴上，OO1距离等于圆的半径。虚线MN平行于x轴且与圆相切于P点，在MN的上方是正交的匀强电场和匀强磁场，电场强度的大小为E，方向沿x轴的负方向，磁感应强度为B，方向垂直纸面向外。有—群相同的正粒子，以相同的速率，在纸面内沿不同方向从原点O射入第I象限，粒子的速度方向在与x轴成角的范围内，其中沿x轴正方向进入磁场的粒子经过P点射入MN后，恰好在正交的电磁场中做直线运动。粒子的质量为m．电荷量为q(不计粒子的重力)。求： (1)粒子的初速率； (2)圆形有界磁场的磁感应强度： (3)若只撤去虚线MN上面的磁场B，这些粒子经过y轴的坐标范围。 河北区2012－2013学年度高三年级总复习质量检测（二） 11．（18分）如图所示，在纸面内建立直角坐标系xOy，以第Ⅲ象限内的直线OM（与负x轴成45°角）和正y轴为界，在x 0的区域建立匀强电场，方向水平向左，场强大小E = 2 V/m；以直线OM和正x轴为界、在y ＜ 0的区域建立垂直纸面向里的匀强磁场，磁感应强度B = 0.1 T．一不计重力的带负电粒子从坐标原点O沿y轴负方向以的初速度射入磁场。已知粒子的比荷为q/m = 5×104 C/kg，求： （l）粒子经过1/4圆弧第一次经过磁场边界时的位置坐标？ （2）粒子在磁场区域运动的总时间？ （3）粒子最终将从电场区域D点离开电场，则D点离O点的距离是多少？ 河西区2012-2013学年度第二学期高三年级总复习质量检测（一） 1 1．（1 8分）如图所示，在纸面内建立直角坐标系xoy，以第Ⅲ象限内的直线OM（与负x轴成角）和正y轴为界，在x0的区域建立匀强电场，方向水平向左，场强大小E=0.32V/m：以直线OM和正x轴为界，在y0的区域建立垂直纸面向里的匀强强磁场，磁感应强度B=0.lT.一不计重力的带负电粒子，从坐标原点O沿y轴负方向以=2×m／s’的初速度射入磁场。己知粒子的比荷为q/m=5×C/kg，求： (1)粒子第一次经过磁场边界时的位置坐标： (2)粒子在磁场区域运动的总时间： (3)粒子最终离开电磁场区域时的位置坐标。 红桥一模 11．(18分)如图所示，相距为d的L1和L2两条平行虚线是上下两个匀强磁场的边界，L1上方和L2下方都是垂直纸面向里的磁感应强度为B的匀强磁场，M、N两点都在L2上，M点有一放射源其放射性元素衰变前原子核的质量为m，它释放出一个质量为m1，带电量为-q的粒子后，产生的新原子核质