第八章 功放大电路.pptVIP

8.3 乙类双电源互补对称功率放大电路 vi正半周时 2．三极管的管耗PT 当Vom = VCC 时，ηmax=π/4 =78.5％。 散热与最大功耗PCM的关系 电源供给的功率，一部分转换为负载的有用功率，另一部分则消耗在功率管的集电结，变为热能而使管芯的结温上升。如果晶体管管芯的温度超过管芯材料的最大允许结温TjM(锗管TjM约为75℃~100℃,硅管TjM约为150℃~200℃)，则晶体管将永久损坏。这个界限称为晶体管的最大允许功耗PCM。 描述热传导阻力大小的物理量称为热阻RT。 RT的量纲为℃/W，它表示每消耗1W功率结温上升的度数。为减小散热阻力，改善散热条件，通常采用加散热器的方法。图 (a)给出一种铝型材散热器的示意图。加散热器后，热传导阻力等效通路如图 (b)所示。图中： RTj——内热阻，表示管芯到管壳的热阻； RTfo——管壳到空间的热交换阻力； RTc——管壳到散热器之间的接触热阻，与管壳和散热器之间的接触状况有关； RTf——散热器到空间的热交换阻力，与散热器的形状、材料以及面积有关。 由图可见，不加散热器时，总热阻RTo为 由于管壳散热面积很小，RTfo是很大的。 加散热器后，由于(RTc+RTf)≤RTfo，所以，总热阻RT为 显然，RTRTo。 功率管的最大允许功耗PCM与总热阻RT、最高允许结温TjM和环境温度To有关，其关系式为 二次击穿现象与安全工作区 功率管在实际应用中，常发现功耗并未超额，管子也不发烫，但却突然失效。这种损坏不少是由于“二次击穿”所致。 二次击穿现象可由图 (a)来说明。当集电极电压vCE增大时，首先可能出现一次击穿(图中AB段)。这种击穿是正常的雪崩击穿。二次击穿的起点与iB大小有关。通常将其起、始点连线称为二次击穿临界线，如图 (b)所示。 为保证功率管安全可靠地工作，除保证电流小于ICM、功耗小于PCM、工作反压小于一次击穿电压V(BR)CEO外，还应避免进入二次击穿区。所以，功率管的安全工作区如图所示。 8.4 甲乙类互补对称功率放大电路 vi很小时,在正、负半周交替过零处会出现非线性失真，这个失真称为交越失真。 为解决交越失真，可给三极管稍稍加一点偏置，使之工作在甲乙类。 广泛用于音响、电视和小电机的驱动方面。 大多数集成功率放大器=运算放大器+互补功率输出。 使用方法原则上与集成运放相同，注意极限参数（功耗、最大允许电源电压等） 一般加有足够大的散热器 负载上获得的信号电压要增加一倍。 BTL放大电路输出功率较大，负载可以不接地。 当输出功率较大时往往采用复合管 复合管有四种形式： 达林顿管： 由NPN、PNP复合而成。 复合管极性=前面管极性 采用复合管的互补功放 改进后的OCL准互补输出功放电路： T1：电压推动级 T2、R1、R2： VBE倍增电路 T3、T4、T5、T6： 复合管构成的输出级 准互补 输出级中的T4、T6均为NPN型晶体管，两者特性容易对称。 +Vcc -Vcc R1 R2 RL vi T1 T2 T3 T4 T5 T6 8.5集成功率放大器 特点：工作可靠、使用方便。只需在器件外部适当连线，即可向负载提供一定的功率。 集成功放LM384： 生产厂家：美国半导体器件公司 电路形式：OTL 输出功率：8?负载上可得到5W功率 电源电压：最大为28V 集成功放 LM384管脚说明: 14 -- 电源端（ Vcc） 3、4、5、7 -- 接地端（ GND） 10、11、12 -- 接地端（GND） 2、6 -- 输入端（一般2脚接地） 8 --输出端(经500? 电容接负载) ) 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 1 -- 接旁路电容(5?) 9、13 -- 空脚（NC） 集成功放 LM384 外部电路典型接法： 500? - + 0.1? 2.7? 8 14 6 2 1 5? Vcc vi 8? 调节音量 电源滤波电容 外接旁路电容 低通滤波,去除高频噪声 输入信号 输出耦合大电容 BTL互补功放 * § 8.1 功率放大电路的一般问题 § 8.2 甲类互补功放 § 8.3 乙类双电源互补功率放大器 § 8.4 甲乙类双电源互补功率放大器 § 8.5 集成功率放大器 第八章 功率放大电路 例1： 扩音系统 执行机构 功率放大器的作用： 用作放