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第二章 电力电子器件概述 2.1 简介 2.2 二极管 2.3 晶闸管 2.4 可控开关的理想特性 2.5 双极结晶体管和达林顿管 2.6 电力场效应晶体管（MOSFET） 2.7 门极可关断晶闸管（GTO） 2.8 绝缘栅双极晶体管（IGBT） 2.9 MOS控制晶闸管（MCT） 2.10 可控开关的比较 2.11 驱动和缓冲电路 2.12 半导体功率器件的选择 下 页 上 页 返 回 电力电子器件概述 + iD + UDS - UGS - D S G C E G uGS uDS iD 0 IGBT与MOSFET、BJT和GTO的某些优点类似: 像MOSFET一样，输入阻抗高，开关器件的损耗小 同BJT一样，可承受较高电压，但导通压降低 与GTO类似，能够被设计承受一定的反向压降 iD uDS off on 0 下 页 上 页 返 回 电力电子器件概述 Turn-off Turn-on uAK iA K P-MCT G A N-MCT K G A uAK off on iA 0 MCT的优点： 比GTO的驱动电路更简单 比GTO的开关速度更快 比同等级IGBT的通态压降更低 下 页 上 页 返 回 电力电子器件概述 器件 BJT/MD MOSFET GTO IGBT MCT 功率容量 中等 低 高 中等 中等 开关速度 中等 快 慢 中等 中等 可控开关器件的相关性质比较 下 页 上 页 返 回 电力电子器件概述 电力半导体器件性能比较 下 页 上 页 返 回 电力电子器件概述 设计一个合理的换流电路时，重要的是在BJT、MOSFET、GTO或IGBT的栅极的基础上设计合理的驱动电路。 缓冲电路可被划分成三种： 开通缓冲电路：使器件导通时的过电流最小化。 关断缓冲电路：使器件关断时的过电压最小化。 减压缓冲电路：修正器件开关波形，使器件在任 何时刻的电流电压不同时具有最大 值。 下 页 上 页 返 回 电力电子器件概述 器件特性和它们对选择过程的影响： 通态压降或导通电阻决定该器件的传导损失。 开关时间决定每次转换能量损失和开关频率能达到多高。 器件的额定电压、额定电流决定该器件的能量控制能力。 控制电路所需能量决定控制该器件的难易度。 该器件导通阻抗的温度系数决定它们并联使用的难易度。 器件的成本也是选择的一个因数。 电力电子器件概述 分析换流器拓扑结构时使用理想化器件特性的一般要求如下： 通常希望能量效率尽可能高，通态压降相对运行电压必须很小，在分析换流器特性时可以被忽略。 器件开关时间相对操作频率的时间必须很短，开关时间可被假设为瞬时的。 相同的其它器件的特性也能被理想化。 设计换流器时，需比较各种器件的特性，在可靠性和适用范围的基础上比较换流器的拓扑结构。 上 页 返 回 * * 2.6 电力场效应晶体管 2.2 二极管 2.3 晶闸管 2.4 可控开关的理想特征 2.5 双极结晶体管和达林顿管 2.1 简介 2.7 门极可关断晶闸管 2.8 绝缘栅双极晶体管 2.9 MOS控制晶闸管 2.10 可控开关的比较 2.11 驱动和缓冲电路 首 页 2.12 半导体功率器件的选择 下 页 返回 电力电子器件概述 电力电子器件的类型 电力电子器件的外部特性 电力电子器件的电压、电流和开关速度能力 本章重点 电力电子器件概述 功率半导体器件 理想开关 看作 电力二极管：导通和关断状态由电路潮流决定。 晶闸管：器件承受正向电压时，由控制信号控制 器件的导通，关断状态由电路潮流决定。 可控开关：由控制信号控制器件的导通和关断。 功率半导体器件类型 ： 下 页 上 页 返 回 下 页 上 页 返 回 电力电子器件概述 双极结晶体管(BJT) 电力场效应管(MOSFET) 门极可关断晶闸管(GTO) 绝缘栅双极晶体管(IGBT) 绝缘栅门极换流晶闸管(IGCT) 全控型电力电子器件 功率半导体器件又可分为不可控型、半可控型和全控型电力电子器件。 下 页 上 页 返 回 电力电子器件概述 反向 截至区 iD UD 0 iD UP（I） Urated 理想化的伏安特性用来分析变流器拓扑结构很有用，但不能应用于实际设计。 A K + UD - iD Qrr trr IRM t iD 下 页 上 页 返 回 电力电子器件概述 二极管处于通态时，开通 速度很快，可当作理想开 关。 二极管处于断态时，在电 流下降到零之前，有一个 电流反向恢复时间trr，在 此时间内的电流反方向流动。反向电流不会影 响换流器的输入输出特性