第二章半导器件工艺学之硅片制备.pptVIP

第二章 半导体材料 §2-1晶体结构 §2-2晶向与晶面 §2-3晶体缺陷 §2-4单晶硅制备 §2-5硅片加工 §2-1晶体结构 一、非晶材料和晶体材料（原子级别上） 非晶材料（无定形）： 杂乱无章的结构 晶体材料： 有序，规则 从宏观上看：规则的几何外形，固定的熔 点，解理性，各向异性 二、晶体材料 晶胞： 晶体结构中最简单，最基本的单元 用晶胞来描述晶体结构 晶胞排列方式：多晶和单晶 非晶材料（无定形） 晶胞 §2-2 晶向和晶面 晶向决定了硅片中晶体结构的物理排列 不同晶向的硅片的化学，电学，机械性质不同，影响工艺制造和器件性能 密勒指数 晶向指数 常用晶面的密勒指数 §2-3晶体缺陷 理想的晶体：完美的结构 实际的晶体：有缺陷 缺陷：点缺陷 线缺陷 面缺陷 体缺陷 硅中的晶体缺陷会产生于晶体生长和后面硅锭和硅片加工中 1.点缺陷 原子尺寸上的局部缺陷，会造成晶格畸变 2.线缺陷 刃形位错 螺形位错 3.面缺陷：层错 面缺陷是二维缺陷 原子层错排 §2-4单晶硅制备 一、半导体级硅 加热含碳的硅石来制备冶金级硅 SiO2+C → Si+CO2 沙子 MGS 纯度98% 通过化学反应将冶金级硅提纯生成三氯硅烷 Si+3HCl → SiHCl3+H2 通过三氯硅烷和氢气反应生产半导体级的硅 SiHCl3+H2 → Si+3HCl SGS 纯度99.9999999% 多晶 工艺:西门子改良工艺 二、单晶硅锭的制备 半导体级硅 （多晶）→单晶 生长后的单晶硅称为硅锭 方法：CZ法（直拉法） FZ法（区熔法） CZ法：85%以上的单晶硅是用CZ法生长的 FZ法：纯度高（氧含量低） 　　　 可生长的直径小 掺杂 CZ法（直拉法） CZ法工艺过程 直拉法生长出的单晶硅锭 FZ法（区熔法） §2-5硅片加工 1.整形处理 2.切片 3.倒角 4.磨片 5.刻蚀 6.抛光 7.清洗　质量检测 包装 1.整形处理 径向研磨 定位面（200mm及以下） 定位槽（300mm及以上） 2.切片 硅锭切割方式:外圆、内圆、线切割 200mm以下的硅片 用带有金刚石切割边缘的内圆切割机 300mm及以上硅片 线锯法→更薄的切口损失 机械损伤较小 表面平整度还存在问题 如：300mm 厚 775±25μm 内圆切割机 DXQ-601型多线切割机 3.倒角 4.磨片 5.化学刻蚀 6.抛光 7.清洗、质量检测、包装 清洗 质量检测： 物理尺寸 平整度 微粗糙度 氧含量 晶体缺陷 颗粒 体电阻率 包装 * * 晶体材料：单晶 多晶 线缺陷：在某方向延伸，其它两个方向延伸很小 常见的线缺陷：位错 位错有两种基本形式：刃型和螺型 4.体缺陷：包裹体 由于杂质硼、磷、砷等在硅晶体中溶解度有限，在杂质掺入数量超过固溶度时，杂质在晶体中沉积，形成体缺陷