光生电势的一般方程及横向光生电势!.pdf

第 卷 第 期 年 月 物 理 学 报 ， ， ， ’% # ! # @AB(’%?A(#CD,ED3 ! F ／ ／ （ ）／ #+!%!’%# #-+4 9:;96=7:97?:9 !!:G8,(6GH(7AI( F ############################################################### 光生电势的一般方程及横向光生电势! 李丹之 （上海大学理学院，上海 ） !#$ （ 年 月 日收到； 年 月 日收到修改稿） #%%$ #! # #%%% ’ #’ 在一个包括 * *结构的光生电势物理模型基础上导出了光生电势的一般方程 在三种光生电势发生的特 ) +,+, ( 定条件下，它可简化出结场光生电势，丹倍电势和横向光生电势的函数关系式 该方程统一了各种光生电势的行为 ( 机理 依据一般方程理论导出的横向光生电势与光点位置的函数关系研制了光电位置传感器，该器件的光电位置 ( 特性优越，从应用实践角度说明了该理论的正确性( ： !## - 的表面，而该光束的截面积又大大小于器件的受光 # 引 言 表面积时，上面所述的三种光电效应都会发生，即该 结的光电输出中应包括上述三种光生电势的贡 +, ) 半导体的光电效应是光电器件的物理基础和器 献 无论从微观的光电子输运过程或是从宏观的光 ( 件设计的理论依据 它不但成就了众多传统的半导 ( 电输出量的单值连续性看，在该结构中同时出现的 体光电器件，近来在光集成和微波与光相互作用等 三种光生电势行为应该是可以用一个统一的光生电 领域内的新器件设计中也得到了众多的应用，所以 势方程来描述，问题是用什么方法来描述！ 一直受到人们的重视( 为了更接近光伏型器件的实际情况，现选择一 * 过去，对于非均匀半导体（ 结， 结等）受 +, ,+, * * ) 个 结构予以讨论，如图 所示 在此结构基