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预印本 ucrl - jc - 147866 Ti-Cr-Ai-O薄膜电阻 a·f·扬科夫斯基,j·p·海耶斯 这篇文章是提交国际会议在冶金涂层和薄膜电阻,圣地亚哥,CA。2002年4月22日至26日。 2002年3月21日 美国能源部实验室批准公开发布;并进一步无限传播。 免责声明 这个文档是为一个在美国的一个机构政府工作的帐户准备的。无论是美国政府还是加州大学的员工,没有任何保证,明示或暗示,或承担任何法律责任或责任，其准确性、完整性或有效性的任何信息、设备、产品或过程披露,或代表以及它的使用不侵犯私人权利。此处引用到任何特定的商业产品、过程或服务的贸易名称、商标、厂家、或否则,不必然构成或暗示它的赞助,建议,或支持美国政府或加州大学。它的作者的看法和意见在此处表示不一定反映美国政府或加州大学的状态。不得用于广告或产品代言的目的。 这是一专为出版在杂志或诉讼的预印本的论文。因为出版前可能 变化,这是可用的预印本,它不会被引用或转载许。 这项工作在美国能源部的加州大学劳伦斯利弗莫尔国家实验室的赞助下进行的。合同号W-7405-Eng-48。 这个报告已经直接被复制成最好的副本。 可用的电子网是/bridge 美国能源部用于处理论文及其承包商费用联系地址为： 美国能源部办公室的科学和技术信息邮政信箱62橡树岭,TN 37831 - 0062 电话:(865)576 - 8401 传真:(865)576 - 5728 电子邮件:reuorts@V 可供出售给公众的： 美国商务部国家技术信息服务5285年皇家港口路斯普林菲尔德,弗吉尼亚州22161 电话:(800)553 - 6847 传真:(703)605 - 6900 电子邮件:orders@ntis。 fedworld gov 在线订购:httu:/ / www.ntis.eov orderinng htm 或劳伦斯利弗莫尔国家实验室技术信息部门的数字图书馆 /ordering/html Ti-Cr-Ai-0薄膜电阻 阿兰·f·p·海耶斯和杰弗里·扬科夫斯基 Livennore劳伦斯国家实验室,邮政信箱808,加利福尼亚州利弗尔,CA 94550 文摘 Ti-Cr-Ai-0薄膜是作为一个电气电阻材料生产的。这个电阻是射频溅射沉积从陶瓷目标使用活性工作气体混合物的基于“增大化现实”技术和垂直电阻率值从lo4 10“欧姆厘米测量了钛铬铝电阻。这些电阻的电阻率可以通过设计选择目标成分和沉积参数控制的。这个钛铬铝氧薄膜电阻器发现不像其他金属氧化物的电阻那样耐热。 介绍 在一个微电子应用金属氧化物材料领域,薄膜用于电阻元素。通常,金属陶瓷复合材料,即体作为Cr-Si-O是使用不同目标成分与多个阶段溅射沉积作为一个路径改变电阻被许多数量级。“4传导机制Cr-Si -O体可以被认为是量子力学。金属浓度较低的电荷传输可以使用有效介质理论建模,电子隧道之间发生。金属粒子分散在一个绝缘介质。在一般情况下,通过传导过程发生一个激活的电荷传输过程。对于电阻电阻率值大于2厘米的结构,Cr-Si-O金属陶瓷微观结构是由一个连续的绝缘SiO,矩阵中Cr和它的silicides-monoxides作为导体/半导体。最近,有效介质理论用于解释Cr-Si-O在广泛的垂直电阻率值从10到1014厘米,S2的快速增加，电阻率随着电阻成分增加到80% SiO的行为。 一个关注并对热稳定产生影响的Cr-Si-O金属陶瓷材料。具体来说,低温退火周期可以显著影响电阻电阻率值和它的性能。例如,2小时退火在450 ℃显示，增加电阻率的Cr-Si-O一个数量级。目前,有兴趣发展金属氧化物材料作为一个横向或纵向电阻的热稳定。例如,一个 在一场致发射阴极层在平面显示器。这个钛铬铝氧材料体系用于标识这个电阻的应用程序。此外,Ti-Cr-Al-O材料可以用来控制表面发射的二次电子像,例如,一个绝缘材料薄涂层上如垂直墙，支持在一个平板显示器。需要热稳定性量化后沉积处理的电子元件可以达到的温度为几百摄氏度。 实验 这个钛铬铝氧涂料溅射沉积从6.4厘米直径的陶瓷为目标，使用平面磁控管中操作射频模式向前进7W。这个目标是使用溅射的陶瓷粉末热等压压前兆。一个混合的二氧化钛,A1203,Crz03粉调和产生共振组成的溅射靶。这个不同的二氧化钛(金红石二氧化钛)组件就是替换一个常数比率，氧化铝(刚玉A1203)和克劳莉娅(刚玉Cr2O3)。目标组合表示在重量百分数(wt%)为[(A1203)35(Cr203)65]100 - ~(Ti02)~ T。一个组件的成分(x)为1.73,7,10、14 wt % Ti02用于溅射沉积的涂层。膜厚度(t)必须足以避免影响发生的电阻比0.1的薄膜