第四讲_电力电子器件3.pptVIP

电 力 电 子 技 术Power Electronic Technology 电力电子器件_GTR 、电力MOSFET、IGBT 3.7 电力晶体管GTR 术语用法： 电力晶体管（Giant Transistor——GTR，直译为巨型晶体管） 耐高电压、大电流的双极结型晶体管（Bipolar Junction Transistor——BJT），英文有时候也称为Power BJT 在电力电子技术的范围内，GTR与BJT这两个名称等效 ??应用 20世纪80年代以来，在中、小功率范围内取代晶闸管，但目前又大多被IGBT和电力MOSFET取代 4.1 GTR的结构和工作原理 GTR的结构和工作原理( 图1-15 ） 与普通的双极结型晶体管基本原理是一样的 主要特性是耐压高、电流大、开关特性好 通常采用至少由两个晶体管按达林顿接法组成的单元结构 采用集成电路工艺将许多这种单元并联而成 4.1 GTR的结构和工作原理 一般采用共发射极接法，集电极电流ic与基极电流ib之比为 （1-9） ? ——GTR的电流放大系数，反映了基极电流对集电极电流的控制能力 当考虑到集电极和发射极间的漏电流Iceo时，ic和ib的关系为 ic=? ib +Iceo （1-10） 产品说明书