基于透射谱的GaN薄膜厚度测量.pdf

第 卷 第 期 年 月 物 理 学 报 ,% . $##. . ， ， ， 4IJ *,% )I *. CKLMJ $##. （ ） ###B%$1#6$##.6,% #. 6 $.%B#. C0DC -EFGH0C GH)H0C !$##. 0NM@ * -NO9 * GI7 * 基于透射谱的!# 薄膜厚度测量! 张进城 郝 跃 李培咸 范 隆 冯 倩 （西安电子科技大学微电子研究所，西安 !##!） （ 年 月 日收到； 年 月 日收到修改稿） $##% $##% ! % 通过对蓝宝石衬底异质外延’() 薄膜光学透射谱的分析，结合晶体薄膜的干涉效应原理并考虑折射率随光子 波长变化的影响，从理论上推导出了实用的薄膜厚度计算方法 实际应用表明，该方法是一种快速准确的 薄 * ’() 膜厚度测量方法* 关键词： ，透射谱，厚度测量 ’() ： ， $% !+,- .$$,/ 也是可以用来确定晶体薄膜厚度的* 2 引 言 本文通过对蓝宝石衬底异质外延 ’() 薄膜光 学透射谱的分析，结合晶体薄膜的干涉效应原理并 ’() 由于其具有宽的禁带宽度（约% 2. 34 ）、高 考虑折射率随光子波长变化的影响，从理论推导和 击穿场强（（— ） ）、高峰值电子速度（ 试验分析两方面获得了一种基于透射谱的 薄 % 5 # 46 78 % 5 ’() ! ）和高饱和电子速度（ ! ）等优越 膜厚度的快速准确测量方法* # 786 9 2, 5 # 786 9 电学特性，因此成为制造短波长光电子器件、高频大 功率电子器件以及高温器件最具潜力的新型半导体 $ 2 蓝宝石衬底异质外延’() 薄膜的透 材料之一* 射谱 由于缺少合适的’() 晶体体材料生长方法，因 此，目前的’() 及其合金半导体材料大多都是基于 ’() 异质外延使用的蓝宝石衬底是一种无色透 蓝宝石和碳化硅等衬底异质外延生长的晶体薄膜* 明的晶体，异质外延得到的’() 晶体薄膜通常也是 在 材料生长和试验研究中， 晶体薄膜厚度 一种无色透明晶体 因此，利用可见光 紫外光分光 ’() ’() * 6 的确定是一项基本的试验内容* 目前’() 晶体薄膜 光度计容易得到蓝宝石衬底异质外延 ’() 薄膜的 厚度的确定方法主要是 射线法、阴极发光光谱 透射谱曲线（见图 ）