西安电子科技大学计算机学院微机系统及应用（一）第五章 存储技术（2）.pdfVIP

微机原理及接口技术 第5章 存储技术 5.3 动态读/写存储器(DRAM) 5.3 DRAM 5.3.1 概述：Intel 2164A 1. SRAM 与DRAM  SRAM 基本存储单元为一个RS触发器→ 状态稳定 由6个MOS管构成→ 集成度↓、成本↑ 由于工艺上的问题，容量不大：128K ×8bit 12ns  DRAM 由一个MOS管（位于栅极上的分布电容）构成 → 容量更大，比如：64M ×1，1Gb  优点：集成度高，功耗低，单位容量价格低  缺点：速度慢，需要刷新，连接复杂 2 5.3 DRAM 5.3.1 概述：Intel 2164A 2. 64K ×1bit DRAM芯片Intel 2164A （1）引线 DRAM容量大，