西安邮电大学电子工程学院集成电路工艺原理与实践第八章 光刻与刻蚀工艺（3）.pptVIP

8.7 掩模版（光刻版） 8.7.1 基版材料：玻璃、石英。 要求：透光度高，热膨胀系数与掩膜材料匹配。 环境温度：＜±0.03°C 8.7.2 掩膜材料—淀积在基版之上 ①金属版（Cr版）： Cr2O3抗反射层/金属Cr / Cr2O3基层 特点：针孔少，强度高，分辨率高。 ②乳胶版－卤化银乳胶 特点：分辨率低（2-3 μm），易划伤。 8.7.3 掩模版的保护膜 –防止在掩模版上形成缺陷 目前使用的材料：硝化纤维素醋酸盐和碳氟化合物 形成的保护膜厚度：1~2um，保证透光性且足够结实及耐清洗。 对掩模版的清洗：去离子水先清洗，再通过弱表面活性剂和手工擦洗。 8.7.4 移相掩模（PSM） PSM：Phase-Shift Mask 作用：消除干涉，提高分辨率； 原理：在光掩模版的某些透明图形上增加或减少一个透明的介质层（移相器），使光波通过这个介质层后产生180°的相位差，与邻近透明区域透过的光波产生干涉，抵消图形边缘的光衍射效应，提高曝光的分辨率。 Q=2лd/ λ(n-1) 移相层材料： ①有机膜：以光刻胶为主， PMMA胶（聚甲基丙烯酸甲酯） ②无机膜：如