单晶SiC的化学机械抛光及其增效技术研究进展.pdfVIP

第５０卷　 第７期 哈　 尔　 滨　 工　 业　 大　 学　 学　 报 Ｖｏｌ５０ Ｎｏ７ 　 　 ２０ １８年７月 ＪＯＵＲＮＡＬ ＯＦ ＨＡＲＢＩＮ ＩＮＳＴＩＴＵＴＥ ＯＦ ＴＥＣＨＮＯＬＯＧＹ Ｊｕｌ． ２０１８ ＤＯＩ：１０．１１９１８／ ｊ．ｉｓｓｎ．０３６７⁃６２３４．２０１８０３１３０ 　 　 　 　 　 　 单晶ＳｉＣ的化学机械抛光及其增效技术研究进展 翟文杰，高　 博 （哈尔滨工业大学 机电工程学院，哈尔滨 １５０００１） 摘　 要：为了解决传统ＳｉＣ化学机械抛光（ＣＭＰ）加工效率低的问题，针对单晶ＳｉＣ表面抛光质量和材料去除率指标，综述了 － 应用传统碱性抛光液、混合磨粒抛光液及含强氧化剂抛光液对单晶ＳｉＣ进行化学机械抛光的研究现状；为了提高ＳｉＣ ＣＭＰ 的 － 化学和机械两方面作用，对ＳｉＣ ＣＭＰ 催化辅助增效技术、ＳｉＣ 电化学机械抛光（ＥＣＭＰ）技术、固结磨料抛光、光催化辅助抛光 － 等增效新技术进行了系统综述；对ＳｉＣ ＣＭＰ 及其增效技术进行了分析、讨论，指出了当前的研究难点，展望了进一步提高单晶 ＳｉＣ抛光效率的研究方向． 关键词：碳化硅（ＳｉＣ）；化学机械抛光（ＣＭＰ）；电化学机械抛光（ＥＣＭＰ）；催化辅助；固结磨粒抛光 － － － 中图分类号：ＴＵ３７５．２ 文献标志码：Ａ 文章编号：０３６７ ６２３４（２０１８）０７ ０００１ １０ Ｒｅｓｅａｒｃｈ ｐｒｏｇｒｅｓｓ ｏｆ ｃｈｅｍｉｃａｌ ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ ｐｏｌｉｓｈｉｎｇ ａｎｄｉｔｓ ｅｆｆｉｃｉｅｎｃｙ⁃ｅｎｈａｎｃｅｍｅｎｔ ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ ｆｏｒ ｓｉｎｇｌｅ ｃｒｙｓｔａｌ ｓｉｌｉｃｏｎ ｃａｒｂｉｄｅ ＺＨＡＩ Ｗｅｎｊｉｅ，ＧＡＯ Ｂｏ （Ｓｃｈｏｏｌ ｏｆ Ｍｅｃｈａｔｒｏｎｉｃｓ Ｅｎｇｉｎｅｅｒｉｎｇ，Ｈａｒｂｉｎ Ｉｎｓｔｉｔｕｔｅ ｏｆ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ，Ｈａｒｂｉｎ １５０００１，Ｃｈｉｎａ） Ａｂｓｔｒａｃｔ：Ｃｈｅｍｉｃａｌ ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ ｐｏｌｉｓｈｉｎｇ （ＣＭＰ）， ｎｏｗ ｒｅｇａｒｄｅｄ ａｓ ｔｈｅ ｏｎｌｙ ｍｅｔｈｏｄ ｔｏ ｏｂｔａｉｎ ｗｈｏｌｅ⁃ｗａｆｅｒ ｐｌａｎａｒｉｚａｔｉｏｎ ａｎｄ ｓｕｐｅｒ⁃ｓｍｏｏｔｈ ｓｕｒｆａｃｅ ｗｉｔｈｏｕｔ ｓｕｂ⁃ｓｕｒｆａｃｅ ｄｅｆｅｃｔｓ， ｉｓ ｕｓｕａｌｌｙ ｅｍｐｌｏｙｅｄ ａｓ ｔｈｅ ｆｉｎａｌ ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ － ｍｅｔｈｏｄ ｆｏｒ ｓｉｌｉｃｏｎ ｃａｒｂｉｄｅ （ＳｉＣ）ｗａｆｅｒ，ｂｕｔ ｔｈｅ ｐｒｏｃｅｓｓｉｎｇ ｅｆｆｉｃｉｅｎｃｙ ｏｆ ｃｏｎｖｅｎｔｉｏｎａｌ ＳｉＣ ＣＭＰ ｉｓｔｏｏ ｌｏｗ ｔｏｆｕｌｆｉｌｌ ｔｈｅ ｃｕｒｒｅｎｔ ｒｅｑｕｉｒｅｍｅｎｔ． Ａｉｍｉｎｇ ａｔ ｓｕｒｆａｃｅ ｑｕａｌｉｔｙ ａｎｄ ｍａｔｅｒｉａｌ ｒｅｍｏｖａｌ ｒａｔｅ （ＭＲＲ） ｏｆ ｐｏｌｉｓｈｅｄ ｓｉｎｇｌｅ ｃｒｙｓｔａｌ Ｓ