西安邮电大学电子工程学院集成电路工艺原理与实践第八章 光刻与刻蚀工艺（1）.pptVIP

第八章 光刻与刻蚀工艺 1. 光刻的基本概念 1〉定义：光刻---通过光化学反应，将光刻（mask）上的图 形转移到光刻胶上。 2〉光刻三要素： ①光刻机；②光刻版（掩膜版）；③光刻胶。 3〉ULSI对光刻的要求： ①高分辨率—源自对更小器件结构的无休止的要求； ②高灵敏的光刻胶—源自芯片尺寸不停的增加，而同时每次曝光又应曝出至少一个完整芯片（越多越好）； ③低缺陷和产率—缺陷可直接导致成品率降低，产率将直接转化成制造成本； ④精密的套刻对准； ⑤对大尺寸硅片的加工。 2. 光刻原理 3.光刻、制版的环境要求 洁净等级： 100级：≤3500 深亚微米器件（尘埃尺寸为0.1μm） 10级：≤350，光刻、制版； 1级：≤ 35，光刻、制版； 4.掩膜版的质量要求 若每块掩膜版上图形成品率＝90％，则 6块光刻版，其管芯图形成品率＝(90％)6＝53％； 10块光刻版，其管芯图形成品率＝(90％)10＝35％； 15块光刻版，其管芯图形成品率＝(90％)15＝21％； 最后的管芯成品率当然比其图形成品率还要低。 5.与光刻工艺相联系的两个主要领域 1〉用来在硅片上印制图形的曝光系统- 当前业界的主宰： 光学曝光系统—以步进重复或步进扫描方式进行缩 小投