电子封装材料之能陶瓷下篇.docVIP

电子封装材料之功能陶瓷_下篇.txt同志们：别炒股，风险太大了，还是做豆腐最安全！做硬了是豆腐干，做稀了是豆腐脑，做薄了是豆腐皮，做没了是豆浆，放臭了是臭豆腐！稳赚不亏呀！ 本文由jidushan_34贡献 pdf文档可能在WAP端浏览体验不佳。建议您优先选择TXT，或下载源文件到本机查看。 薄膜材料 导体薄膜材料 材料的种类及性质 导体薄膜的主要用途 形成电路图形，为半导体元件、半导体芯片、电阻、电 容等电路搭载部件提供电极及相互引线，以及金属化等 为保证金属—半导体间连接为欧姆接触，要求： 金属与半导体的结合部位不形成势垒 对于ｎ型半导体，金属的功函数要比半导体的功函数小 对于ｐ型半导体，与上述相反 金属与半导体结合部的空间电荷层的宽度要尽量窄，电 子直接从金属与半导体间向外迁移受到限制等 2、薄膜材料 导体薄膜材料 电阻薄膜材料 介质薄膜材料 功能薄膜材料 2、薄膜材料 导体薄膜材料 材料的种类及性质 实际情形 随半导体的表面处理，在导体和半导体表面往往会存在 薄的氧化膜，但电子通过隧道效应可穿过此膜层，因此并 不存在很大的问题 依表面处理条件不同，半导体的表面状态会发生变化， 相应金属及半导体的功函数也会发生变化 功函数还与表面能级、晶体取向等相关，必须注意其值 的变化 2、薄膜材料 导体薄膜材料 材料的种类及性质 其他布线及电极用的导体材料，还应具有下述特性： 电导率要高 对电路元件不产生有害影响，为欧姆连接 热导率高、机械强度高，对于碱金属离子及湿度等的电 化学反应要尽量小 高温状态，电气特性也不发生变化，不发生蠕变现象 附着力大，成膜及形成图形容易 可形成电阻、电容，可进行选择性蚀刻 可进行Ａｕ丝、Ａｌ丝引线键合及焊接等加工 2、薄膜材料 导体薄膜材料 材料的种类及性质 实际情形 单一种导体不可能满足上述所有要求 构成电子电路往往需要多种导体膜的组合 2、薄膜材料 导体薄膜材料 而且 相互连接及电极中往往也不是采用单一金属，而是多种导体膜积 层化，以达到上述各种要求 多层金属组合的实例 2、薄膜材料 导体薄膜材料 多层组合薄膜说明 导体的表面方阻均在５０ｍΩ／□以下 进一步降低电阻，需要在Ａｕ膜上再电镀Ａｕ 所列的材料组合之外，在半导体ＩＣ的电极凸点及梁式引线部分，还 采用Ａｕ－Ｐｄ－Ｔｉ，ＳｎＳｂ－Ｃｕ－Ｃｒ，Ａｕ－ＷＴｉ等 组合，以及ＰｔＳｉ，Ｐｄ２Ｓｉ，ＣｒＳｉ等金属硅化物作导体。 Ａｕ 可满足上述条件中的大部分 单独使用时与基板及ＳｉＯ２等膜层的附着力太低 往往在最底层采用ＮｉＣｒ，Ｃｒ，Ｔｉ等附着性好的膜层 最上层采用容易热压附着或容易焊接的Ａｕ及ＰｂＳｎ等 但两种金属薄膜相互结合时，往往在比块体材料更低的温度下就产生 明显扩散，生成化合物。 2、薄膜材料 导体薄膜材料 Ａｌ 特点 Ｓｉ基ＩＣ常用导体材料 与作为ＩＣ保护膜的ＳｉＯ２间的附着力大 对于ｐ型及ｎ型Ｓｉ都可以形成欧姆接触 可进行引线键合 电气特性及物理特性等也比较合适 价格便宜 作为ＩＣ用的导体普遍采用 但 随环境、气氛温度上升，Ａｌ与Ａｕ发生相互作用，生成金属 间化合物，致使接触电阻增加，进而发生接触不良 Ａｌ 当Ａｌ中通过高密度电流时，向正极方向会发生Ａｌ的迁移， 即所谓电迁移 在５００℃以上，Ａｌ会浸入下部的介电体中 在ＭＯＳ元件中难以使用 尽管Ａｌ的电阻率低，与Ａｕ不相上下，但由于与水蒸气及氧 等发生反应，其电阻值会慢慢升高。 Al与Au会形成化合物 Al端子与Au线系统在300℃下放置2～3ｈ，或者使气氛温度升高 到大约４５０℃，其间的相互作用会迅速发生，致使键合部位的 电阻升高 此时，上、下层直接接触，Au、Al之间形成脆、弱AuAl2、AuxAl 等反应扩散层。造成键合不良 采用Au－Au组合或Al－Al组合。在Au、Al层间设置Pd、Pt等中 间层，可防止反应扩散发生，形成稳定的膜结构 Ａｌ 存在电迁移 Al导体中流过电流密度超过106A/cm2 或多或少地发生电迁移现象 气氛温度上升，电迁移加速，短时间内即可引起断线 Al导体膜在大约300℃长时间放置，会发生“竹节化”，即出 现结晶化的节状部分和较瘦的杆状部分 进一步在500℃以上放置，Al会浸入到下层的SiO2中，引起 Si基板上的IC短路 因此，使用Al布线的ＭＯＳ器件，必须兼顾到附着力、临界电 压、氧化膜的稳定性、价格等各种因素，对材料进行选择。 连接与布线的形成及注意点 Si IC中的Al布线可由Cr－Au代替。 Cr－ Au与玻璃间具有良好的附着性，ｐ型