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2013 32 8 (Transducer and Microsystem Technologies)
年第 卷第 期 传感器与微系统 63
*
Si N — —
带有 3 4 薄膜的玻璃 硅 玻璃三层结构的阳极键合
1，2 2 2 2 1，2
， ， ， ，
林智鑫 王盛贵 刘 琦 曾毅波 郭 航
(1． ， 361005 ;
厦门大学物理与机电工程学院 福建厦门
2 ． ， 361005)
厦门大学萨本栋微米纳米技术研究院 福建厦门
: Si N ( — — ) ，
摘 要 为了获得高品质的带有 3 4 薄膜三层 玻璃 硅 玻璃 的阳极键合结构 对阳极键合的相关工
; ，
艺参数进行了研究 设计搭建了实验平台并采用点阴极 以实时观察键合界面是否达到同形质的黑色从而
， ， : 400 ℃ ， 1 200 V ，
判断阳极键合质量 对键合后的样品进行拉力测试 研究表明 当采用键合温度为 电压为
450 Pa ， 90 % Si N 。
压力为 可获得键合面积大于 的带有 3 4 薄膜的三层阳极键合结构
: ;Si N ; — — ;
关键词 阳极键合 3 4 薄膜 玻璃 硅 玻璃 三层键合
— — —
中图分类号:TN 305 ． 94 文献标识码:A 文章编号:1000 9787 (2013)08 0063 04
Anodic bonding of glass-silicon-glass three-layer
*
structure wit
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