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第8讲 信号传输回路的干扰控制 清华大学电机工程与应用电子技术系 工程硕士班 2008.04 电磁兼容研究体系 信号传输回路的干扰控制 电磁骚扰不论是通过传导耦合还是辐射耦合，最后总是通过信号传输回路耦合至接收器，造成对设备干扰 控制辐射耦合的方法除了屏蔽和滤波外，在确定的场强和频率条件下，主要是控制耦合回路引入的干扰 不同的情况，耦合的影响不同: 信号传输回路有不同的结构：平衡线路(二根平行传输导线)和非平衡线路(如同轴电缆) 不同的接地方式：发射始端和接收终端均悬浮，或两端均接地，或一端接地 不同的耦合模式：共模耦合和差模耦合 1.屏蔽电缆的电磁耦合分析 扩散：外部电磁场作用在屏蔽层上，通过屏蔽层的扩散进入内部 穿透：电缆外皮导体上的小孔或小缝隙存在，电磁能量可直接透入电缆内部 1.1 屏蔽电缆的电磁扩散 1.2 屏蔽电缆的电磁扩散 电磁扩散机理 1930’s，Schelkunoff研究了同轴圆柱导体，外导体为薄导体管 对于一个金属管，外部电磁场的磁场分量才能在其内部产生比较显著的响应 外电场分量：切向分量由于其散射而相互抵消；法向分量差不多全部终止于导体表面电荷 外磁场分量：在电缆外皮导体中感应电流，由于趋肤效应，电流密度由外到里逐步减小 导体较薄或导体材料透入深度较大时，在靠近电缆芯的内侧表面有一定的电流密度，有电场出现。这就是外电磁场透入电缆内部的“扩散”过程 1.2 屏蔽电缆的电磁扩散 内部芯线上的干扰可以通过屏蔽的转移阻抗 Zt 或转移导纳 Yt 来描述 屏蔽层的保护作用主要表现在对电场的衰减作用 衰减能力主要取决于转移阻抗 转移阻抗 屏蔽层内部产生的电场Ei与屏蔽层中的电流Is之比 转移导纳 屏蔽层的一部分电荷作用在内部芯线上的途径 在内部芯线上的感应电荷相当于电流注入内部电缆，可以通过屏蔽层外部对地电压Vs以转移导纳的形势产生 1.3 转移阻抗和转移导纳 转移阻抗和转移导纳定义 内导体电压和电流轴向变化率与屏蔽层感应电压VS和感应电流IS的关系 对于管状及编织屏蔽电缆都适用 编织屏蔽由于存在缝隙，转移导纳和转移阻抗都被加强 1.3 转移阻抗和转移导纳 对于管状屏蔽体，Schelkunoff推导了转移阻抗的解析表达式 Ji(*)和Yi(*)表示第一类和第二类柱面Bessel函数，下标表示阶数 1.3 转移阻抗和转移导纳 一般电缆屏蔽层厚度小于内径，半径远比波长要小 R0为屏蔽层单位长度的直流电阻，?为趋肤深度，Δ为屏蔽层厚度 低频时，电缆屏蔽层厚度?远小于趋肤深度?时 高频时，电缆屏蔽层厚度?远大于趋肤深度? 时 UT-141薄壁半硬性电缆的转移阻抗 1.4 编织屏蔽的转移阻抗 外部电磁场直接透入电缆芯中产生干扰 若电缆外皮上有小孔存在，则外部电磁场可直接透入电缆内部 1.4 编织屏蔽的转移阻抗 线编屏蔽电缆有许多菱形小孔，导致电缆内部和外部的电感耦合，还导致电容耦合 穿透比扩散更难于定量数学描述 小孔比较小(电学上)，可用等值的电偶极子及磁偶极子来模拟 1.4 编织屏蔽的转移阻抗 1.4 编织屏蔽的转移阻抗 编织屏蔽电缆的转移阻抗 转移导纳为 2. 共模耦合 辐射共模耦合(CMC)和地回路耦合(GLC)的一般概念 2.1 辐射共模耦合 2.1 辐射共模耦合 2.1 辐射共模耦合 2.2 非平衡线路的共模耦合 2.2 非平衡线路的共模耦合 2.2 非平衡线路的共模耦合 2.2 非平衡线路的共模耦合 2.2 非平衡线路的共模耦合 对于电子没备，CP系线路的“参考地”对机壳或“大地”、或机壳对“大地”的寄生电容，可以用A/t来表示 A为电容平行板的面积(cm2)，t为电容两平行板间的距离(cm)，A/t的单位为cm 对于信号及负载两端“参考地”均接地的情况，A/t→∞ 一般只要知道Cp值，原则上就可以对GLC加以计算，但实际情况中要精确知道Cp值很难，无法确定时，一般可取A/t=100 2.3 平衡线路的共模耦合 2.3 平衡线路的共模耦合 2.3 平衡线路的共模耦合 2.3 平衡线路的共模耦合 2.4 平衡/非平衡线路抑制共模干扰能力比较 2.4 平衡/非平衡线路抑制共模干扰能力比较 2.4 平衡/非平衡线路抑制共模干扰能力比较 两端均接地，源阻抗与负载阻抗相等，低频时非平衡系统的GLC = - 6 dB，而平衡系统的GLC均低于此值，即GLC = -40+20lgΔ(dB) 高频时这两种系统的GLC均下降，平衡系统均较非平衡系统的GLC小，大体上保持同样的差值 平衡系统的共模抑制能力取决于其不对称性，不对称性愈小，则对共模干扰的抑制能力愈强 对于发射端或接收端悬浮的情况，不论平衡系统或非平衡系统，