河南师范大学模拟电子技术课件2 PN结.pptVIP

齐纳击穿：高参杂，耗尽层窄，低反向（击穿）电压， 激发价电子（拉出），产生电子空穴对，反 向电流增大。 雪崩击穿：低掺杂，耗尽层宽，高反向（击穿）电压， 碰撞价电子（撞出），产生电子空穴对，多 次重复，反向电流增大。 P区（非平衡）少子浓度分布曲线 * 1.1.3 PN结的形成及特性 一、 PN结的形成 二、 PN结的单向导电性 四、 PN结的伏安特性 五、 PN结的电容效应 三、 PN结的电流方程 扩散运动 复合 多子浓度下降 正、负离子区 空间电荷区（电位差） 内电场（方向及大小） 漂移运动 动态平衡 扩散多子＝漂移少子 扩散电流＝漂移电流 对称结 不对称结 一、 PN结的形成 在一块本征半导体在两侧通过扩散不同的杂质,分别形成N型半导体和P型半导体。此时将在N型半导体和P型半导体的结合面上形成如下物理过程: 因浓度差 空间电荷区形成内电场 ? 内电场促使少子漂移 ? 内电场阻止多子扩散 最后,多子的扩散和少子的漂移达到动态平衡。 对于P型半导体和N型半导体结