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第46卷 第7期 哈 尔 滨 工 业 大 学 学 报 Vol46 No7
20 14年7月 JOURNAL OF HARBIN INSTITUTE OF TECHNOLOGY Jul. 2014
电势对硅片摩擦电化学材料去除特性的影响
王金虎,翟文杰
(哈尔滨工业大学 机电工程学院,150001哈尔滨)
摘 要:为了提高硅片抛光效率,改善抛光表面质量,采用电化学交流阻抗谱法实验研究了极化电势对硅片表面钝化作
用的影响规律,结合摩擦电化学实验探讨了极化电势对硅片表面摩擦系数及材料去除特性的影响.结果表明,在碱性
CeO 抛光液中,对硅片施加1V 阳极极化电势能够促进其表面形成抑制腐蚀的钝化层,极化电势过高会破坏表面钝化
2
层,过低则抑制钝化层形成.良好的硅片表面钝化层能够有效增大其摩擦系数,提高摩擦电化学实验过程中的材料去
除率.
关键词:硅片;极化电势;钝化;摩擦电化学;材料去除
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中图分类号:TH1772 文献标志码:A 文章编号:0367 6234(2014)07 0020 06
Influence of polarization potential on tribo⁃electrochemical material
removal properties of silicon wafer
WANGJinhu,ZHAI Wenjie
(School of Mechatronics Engineering,Harbin Institute of Technology,150001Harbin,China)
Abstract: To increase polishing efficiency and improve surface quality of silicon, electrochemical
measurementswere used to study the influence of polarization potential on passivation of silicon wafer,based
-
onwhich tribo electrochemical testswere done to investigate the effect of polarization potential onfriction and
material removal. Results show that the passivation film with better corrosion inhibition effect can be obtained
under anodepolarizationpotential of 1Vin alkaline CeO polishingliquid.Ahigherpolarizationwoulddestroy
2
the passivation film,while a lower polarization would suppress the formation of it. Moreover,the passivation
film on silicon wafer can increase surface friction coefficient aswell as material removal rate.
Keywords:s
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