《电工电子技术》第7章 电子元器件基础.pptVIP

第7章 电子元器件基础 7.1 常用电子元件 7.2 半导体基础知识 7.3 晶体二极管 7.4 晶体三极管 7.5 其它半导体器件 7.2.2 PN结 在一块本征半导体材料的两侧通过扩散不同的杂质，分别形成N型半导体和P型半导体。此时将在N型半导体和P型半导体的结合面上形成如下物理过程： 杂质浓度差?多子的扩散运动?形成空间电荷区?形成内电场?促使少子漂移、阻止多子扩散?达到动态平衡 对于P型半导体和N型半导体结合面，离子薄层形成的空间电荷区称为PN结。 1. PN结的形成 2．PN结的单向导电性 PN结正向偏置时，多子下定向移动，耗尽层逐渐变薄，乃至消失，从而使PN结处于导通，如图7-8（a）所示。 PN结反向偏置时，少子定向移动，耗尽层逐渐变厚，反向电阻增大，从而使PN结处于截止状态，如图7-8（b）所示。 7.3.1 二极管的结构与特性 7.3.2 二极管的分类与用途 退 出 7.3.3 二极管的主要参数与检测方法 7.3.1 二极管的结构与特性 1. 半导体二极管的结构 半导体二极管又称为晶体二极管，它是电子电路中最常用的半导体器件之一。一个PN结经过封装并引出电极后，就形成了二极管。二极管的电路符号、PN结内部结构和外形如图7-9所示。 2．半导体二极管的特性 （1） 正向特性 硅二极管的伏安特性曲线如图7-10所示。二极管两端的正向电压很小时（锗管小于0.1伏，硅管小于0.5伏），二极管处于“死区”状态，正向电流几乎为零。当正向电压超过一定数值后，二极管导通，这个电压称为正向导通电压。 （2） 反向特性 当二极管两端加上反向电压时，反向电流很小，几乎为零。当反向电压逐渐增大到某一数值时，反向电流突然急剧增大，这种现象称为反向击穿。这时的电压称为反向击穿电压，不同材料与结构的二极管，反向击穿电压的大小也不相同。对某一特定型号的二极管而言，反向击穿电压的数值几乎是恒定的，并不会随着反向电流的变化而变化。利用二极管的这一特性，可以完成稳压的功能。 7.3.2 二极管的分类与用途 按使用的半导体材料不同，二极管可分为硅二极管、锗二极管和其它二极管。 从制造工艺来说，二极管可分为点接触型二极管和面接触型二极管。 根据不同的用途，二极管分为以下几类： （1） 整流二极管 用于把交流电变换为直流电的整流电路，重要的参数是最大反向工作电压（耐压）和最大整流电流。 （2） 检波二极管 检波和整流的原理是一样的，但整流的目的是为了得到直流电，而检波则是为了从高频调幅波中取出信号成分。 （3） 稳压二极管 因半导体掺杂的不同，稳压二极管除具有普通二极管的单向导电性外，当其反向电压增大到一定数值时，电流会像雪崩一样地增加，使二极管进入反向击穿区。此后，反向电流在很大范围内变化时，而二极管两端的电压值基本保持不变。稳压管正是利用这一特点进行稳压的，此时的稳定电压称为齐纳电压，因此稳压二极管又名齐纳二极管。 （4） 发光二极管 发光二极管（简称LED）也是一种二极管，其主要结构也是PN结，但它使用的半导体材料主要是砷化镓等。发光二极管在正向导通时会发光，电流增大，发光亮度增强。 （5） 变容二极管 变容二极管PN结的结电容随加至二极管上的反向电压的变化而变化。此时所加的电压是反向电压，流过的电流也是反向电流，其值很小。通常反向偏压越小，结电容越大；反向偏压越大，结电容越小。 （6） 光电二极管 光电二极管的特点是当其PN结受光照射后，其反向电阻会变小，反向电流随光照强度增大而增大。当光照条件不断变化时，光电二极管两端便产生相应变化的电信号。 （7） 开关二极管 开关二极管作为一种无触点开关，除了具有一般二极管的单向导电性之外，还具有更小的正向电阻，更大的反向电阻，较高的开关速度。 （8） 肖特基二极管 肖特基二极管是一种问世较晚的低功耗、大电流、超高速半导体器件。其反向恢复时间极短，正向电压仅0.4V，额定工作电流可达几十A。 除了上述类别，电子电路中用到的二极管还有隧道二极管、微波二极管、恒流二极管、激光二极管、双向二极管等种类。 7.3.3 二极管的主要参数与检测方法 ①最大整流电流I F：二极管能长期正常工作时的最大正向电流。 ②最高反向工作电压U RM：二极管长期正常工作时所允许的最高反向电压。 ③反向电流I R：二极管处于反向偏压而未被击穿时的电流值，又称为反向漏电流。 ④最高工作频率f M：二极管正常工作时的信号最高频率。 1. 半导体二极管的主要参数 二极管的正、负极可按下列方法来判别： ①看外壳上的色圈：现在常用的表示方法是在二极管的外壳上标有一个色圈，通常靠近此色圈的一端为负极，另一端为正极。如1N40xx系列二极管采用此标示法。 ②用万用表测量：用指针式