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电子科技大学版图提取实验报告 　　微电子与集成电路设计　　实验报告　　使用L-Edit编辑单元电路布局图　　一、实验学时：4学时二、实验目的　　1、熟悉版图设计工具L-Edit的使用环境；2、掌握L-Edit的使用技巧。　　三、实验内容：利用L-Edit绘制一个反相器的版图，并利用提取工具将反相器布局图转化为T-Spice文件。四、实验结果：　　1、本次版图设计中的设计技术参数、格点设定、图层设定、设计规则采用的是文件的。　　2、绘制一个L=2u，W由学号确定的PMOS管掩膜版图。　　先确定W。W等于学号的最后一位乘以2，若学号最后一位?4，则先加10后再乘以2。所以，要绘制的是一个L=2u，W=的PMOS管掩膜版图。　　所完成的经DRC检查无错误的PMOS版图为：　　该PMOS管的截面图为：　　3、绘制一个L、W和上面的PMOS管相同的NMOS管掩膜版图。　　所完成的经DRC检查无错误的NMOS版图为：　　该NMOS管的截面图为：　　4、运用前面绘制好的nmos组件与pmos组件绘制反相器inv的版图。加入电源Vdd，地Gnd，输入A和输出B的标号。所完成的DRC检查无错误的版图为：　　电子科技大学　　实验报告　　学生姓名:连亚涛/王俊颖学号：XX/0007指导教师：王向展实验地点：211楼606实验时间：　　一、实验室名称：微电子技术实验室　　二、实验项目名称：集成电路版图识别与提取　　三、实验学时：4　　四、实验原理：　　本实验重点放在版图识别、电路拓扑提取、电路功能分析三大模块，实验流程如下：　　五、实验目的：　　了解对塑封、陶瓷封装等不同封装形式的芯片解剖的方法及注意事项。　　学习并掌握集成电路版图的图形识别、电路拓扑结构提取。　　能对提取得到的电路进行功能分析、确定，并可运用PSPICE等ICCAD工具　　展开模拟仿真。　　六、实验内容：　　1、在芯片上找出划线槽、分布在芯片边缘的压焊点、对位标记和CDBar并测出有关的图形尺寸和间距。仔细观察芯片图形总体的布局布线，找出电源线、　　地线、输入端、输出端及其对应的压焊点。　　2、判定此IC采用P阱还是N阱工艺；进行版图中元器件的辨认，要求分出MOS管、多晶硅电阻和MOS电容。　　3、根据以上的判别依据，提取芯片上图形表示的电路连接拓扑结构；复查，加以修正。　　七、实验器材：　　微机1台　　待提取电路图版图图片1张　　八、实验步骤：　　1、在芯片内查找出对位标记和CDBar。发现在芯片右上角有一块区域为对位标记和CD条，由对位标记可知，该电路共有13块掩模版，每次对位均以第一块版P阱版为准，避免了以往采用的后一次以上一次为准带来的套刻误差传递的危险，套刻精度大为改善。　　2、在图中找出压焊点，先根据与压焊点相连的连线的宽窄定出正、负电源线或地线，因本电路采用正负电源，判定上方左起第3个压焊点接正电源，下方第左起第1个压焊点接负电源。再根据与正、负电源线的连接情况，输入端一般都加二极管保护电路，可先查到有二极管保护电路的部分，分析与其相接的连线情况，确定芯片上方左起第1、2压焊点为两个输入端压焊点。　　3、根据在衬底和阱中的器件与正、负电源线或地线的连接情况，判定此IC采用P阱还是N阱工艺。由观测到的图形可以发现，阱及其保护环与负电源相接，判定为P阱工艺。　　4、确定本电路采用的为P阱工艺之后，进行版图中元器件的辨认。首先可以看出采用了多晶硅栅，且在输入压焊点到输入管之间有一段多晶硅，但又无连线的“交叉”出现，排除了“过桥”的可能，初步判断为电阻，再根据其与二极管保护电路连接最终与输入管相接，可断定是输入端起限流作用的电阻。　　5、因已确定为P阱工艺，则阱和保护环内的器件应为NMOS管，由图形可见，两输入管共用一个源极，且源与P阱相接，但未接负电源，而是与另一个N管的漏相接，该N管的源极与负电源相接，意味着阱电位是浮动的，这是为了消除输入管衬底偏置效应采取的措施。两输入管的漏极分别与另外两个P管的漏相接，这两个P管的源和衬底相连并与正电源连接，且其中一个P管的漏与栅极短接，说明这两个P管构成了电流镜。类似可识别出其他的P管和N管。　　6、根据如上的图形识别，将提取得到的各器件连接并整理成电路图。　　九、实验数据及结果分析：　　1、提取电路图　　根据实验观察分析，按要求提取出芯片上电路的拓扑结构，其电路图如下图所示：　　2、电路功能分析　　有提取到的电路图可见，实验样片的电路是采用多晶硅栅P阱CMOS工艺的放大器电路，该电路由典型的差分放大输入级电路、偏置电路、中间放大电路、推挽输出级电路构成。　　电路功能分析：T1、T2构成源耦合对，作为差分输入；输入端的四个二极管和两个