铝背结N型硅太阳电池设计优化与液相外延制结工艺研究-材料物理与化学专业毕业论文.docxVIP

摘 摘 要 万方数据 万方数据 摘 要 N 型晶硅电池相对于 P 型晶硅电池具有高少子寿命、无光致衰减等优点， 在高效低成本太阳电池的发展很有潜力。Al 背结 N 型硅太阳电池制作工艺简单、 经济可行，是一种值得重视的新型电池。本文针对此类新型电池的设计进行计 算模拟优化，并研究了一种低成本铝背结制备方法。 采用太阳电池模拟软件 PC1D 建立 n++np+型太阳电池物理模型，系统地研究 了前表面场（Front surface field，FSF）、衬底材料和背发射极等结构参数对铝背 结 N 型硅电池输出特性的影响，模拟结果表明：为制得性能较好的铝背结电池， 有几个条件必须得到满足：较高电阻率（1Ωcm）的衬底；前表面复合速率应 小于 1*104 cm/s；N 型硅衬底的少子寿命至少为 1000 μs；衬底的厚度要大于 100μm；背发射极的少子寿命要大于 1μs。对于背发射极未钝化的电池，较大的 背发射极厚度有利于电池性能的提升；而对于背发射极进行有效钝化的电池， 背发射极的厚度是越小越好。在此基础上，我们提出了一种基于现有材料工艺 可行、经济可行的设计，效率达到了 19%。 考虑到实际铝背结电池制备过程中，丝网印刷铝浆合金制 p-n 结存在着结不 均匀、成本偏高的问题，我们提出了 Al-Si 熔体低温外延制结工艺，幷做了初步 研究。研究结果表明：外延层为铝掺杂单晶硅层，680℃时，外延生长后的硅层 掺杂为 1017atoms/cm3。同一温度，硅饱和情况下，初始浸润接触阶段，生长主 要受扩散控制，增长缓慢；在 30s 到 120s 范围内增长迅速，主要为形核速率控 制的二维形核生长，生长速率快；在 120s 到 240s 范围内，此时的过冷度逐渐降 低为零，外延生长停止；随着生长时间继续延长会发生回熔现象将硅片熔解。 外延生长的最佳生长时间为 2min 左右。相同时间内，随生长温度的升高，外延 层平均厚度逐渐增大，生长速率增大，并且随着温度的增加，增长也越来越快。 对生长速率和过冷度之间进行拟合分析，满足 log(v)=log(h/t)=a+b*(1/ΔT)，认为 此实验条件下硅外延生长符合完整突变光滑界面二维形核生长模型。铝助焊剂 QJ201 能够改善外延层的均匀性。 关键词：N 型硅太阳电池，铝背结，Al-Si 熔体，液相外延 I Abst Abstract Abstract Compared to P-type silicon solar cells, N-type silicon solar cells were regarded as a promising solar cell with high efficiency and low cost due to its long minority carrier lifetime and absence of light induced degradation. Aluminium back junction silicon solar cell deserves attention for its simple fabrication and economic feasibility. The design optimization of this solar cell is carried out by simulation and a low-cost method for aluminium back junction preparation is investigated. The physical model of crystalline silicon solar cells with an n++/n/p+ structure was established in the simulation software PC1D. The effect of structure parameters such as front surface field, substrate material and back emitter on the output characteristics is studied systematically. Simulation results showed that some condition had to be satisfied in order to acquire aluminium back junction solar cells with good performance. That are higher bulk resistivity(1Ωcm), lower front surface rec