磁控溅射法制备ZnO薄膜及其特性研究.pptVIP

引言 1842年格洛夫（Grove）在实验室中发现了阴极溅射现象。迄后70年中，由于实验条件的限制，对溅射机理的认同长期处于模糊不清状态。1970年后出现了磁控溅射技术。最近15年来，进一步发展了一系列新的溅射技术，使得磁控溅射技术从实验室应用技术真正地进入工业化大量生产的应用领域。 ZnO是一种半导体发光材料，由于它的禁带宽度较大（3.37ev）,决定了它的发光特性：发光的峰值波长和光谱能量分布都在紫外区。在紫外激光器和发光二极管，短波光通讯，光记录等方面有着重要的应用前景，成为近年来材料学和光学中很热门的研究方向。 真空溅射原理及方法 原理： 真空镀膜是借助高能粒子轰击所产生的动量交换，把镀膜材料的原子从固体（靶）表面撞出并放射出来。放在靶前面的基材拦截溅射出来的原子流，后者凝聚并形成镀层。 阴极发射电子在电场的作用下加速飞向基片的过程中与溅射气体原子发生碰撞，电离出大量的正离子和电子, 电子飞向基片, 正离子在电场的作用下加速轰击靶材，溅射出大量的靶材原子，呈中性的靶原子（或分子）沉积在基片上成膜。 方法： ① 直流溅射：溅射沉积各类金属 薄膜 ② 射频溅射：溅射沉积非金属材 料（导电性差） ③ 磁控溅射：提高沉积速率