绝缘层修饰对并五苯有机薄膜晶体管电学性能改善机制的研究-光学工程专业毕业论文.docxVIP

中图分类号: TN321.5 UDC: 学校代码: 10刷 密 级:公开 北京交通大学 硕士学位论文 7 7 41 41114 jt!J11户 hL气The improvement mechanism ofthe electrical properties ofPentacene organic thin film transistors by modi句ring insulation hL气 宇 宇 严 昏也- 学 号:4wι 4 wιye79. 职 称:教授(院士) 学位类别:工 学 学位级别:硕士 耳叮 J 耳叮 J .，， 门 气 阶 t d J A 研究方向:有机薄膜晶体管 ，、 ， 、 - -t 2010 年 5 月 11 11 致谢 时光飞梭，转眼问两年的硕士生活就要结束了，回顾在交大光电所学习的这 段日子，自己无论从科研学习方面，还是其他方面，都取得了很大的进步。在此， 衷心的感谢这两年来给我诸多关心和帮助的老师和问学。 在这两年的时间里，导师徐叙珞院士严谨的治学态度和科学的工作方法给了 我极大的帮助和影响。徐叙路院士严谨的泊学态度和科学的工作方法给了我极大 地帮助和影响。他在学业上对我们严格要求，生活上却又平易近人，能够处处为 我们学生着想，使挠们在多方面得到锻炼和提高。在此，向两年来给我太多支持 和帮助的徐叙珞院士表示衷心感谢和诚挚的敬意! 问时，赵谩玲副教授作为我的副导师以及徐征教授、张福俊副教授和冀国格 工程师，他们除在实验室的科研工作方面以及论文的撰写工作方面给予了我悉心 的指导，在生活方面也给予了我许多的关心和帮助，在此向他们表示衷心的感谢 和敬意! 本论文的实验工作是在北京交通大学光电子技术研究所，发光与信息显示教 育部重点实验室完成的。在此期间，得到了黄世华研究员、侬延冰教授、滕枫教 授、那振被教授、{吁大伟教授、梁眷卫在副教授、何志群教授、粪志东教授、衣立 新教授、姚志刚老师及光电所其他老师的无私帮助和热心指教，在此向他们表示 衷心的感谢! 在实验工作及论文撰写的过程中，裳广才、四雪楠、孙钦军、孔超等师兄师 姐，以及史大为、曹文挝、宋晶路、刘瑞、闰悦、王大伟、龚伟等同学都给了我 很大的帮助，在此向他们表示诚挚的感谢! 另外，非常感谢一直以来都十分支持自己的父母家人，这也是我能一直努力 工作的动力。我也将继续努力下去，希望自己不会辜负家人的希望。在此，给家 人送上我深深的感激之情! 最后，向所有关心和支持我的人致以深深的谢意! 中文摘要北京交通大学硕士学位论文 中文摘要 北京交通大学硕士学位论文 111 111 中文摘要 摘要z 本文的主要研究方向为利用修饰层提高和改善并五苯有机薄膜晶体管 (Organic Thin-Film Transistors ，OTFT) 的电学特性，并且研究了性能改善的机理。 首先，回顾了 OTFT 的发展历史及概况。总结了 OT盯在实验室的研究成果 和目前在实际生活中的运用情况，进而讨论了。 ηT 目前存在的问题以及研究发 展方向。并在接下来的内容里介绍了。 TFT 的基本知识，包括常见的器件结构、 。丁的工作原理、材料选择和制备工艺等。 其次，对提高有机薄膜晶体管的电学性能的研究。 在本节中比较了不带修饰层和带有 PhTMS 界面修饰居的。四T 器件性能以及 带有 PhTMS 界面修饰层下两种有源层厚度的 OTFT 器件。我们发现带布 PhThα 界田修饰层并且有源层厚度为 4伽m 时，器件性能最佳，其场效应迁移率为 4xl0飞:m2Ns ，开关电流比18.7xl02，阙值电应为-10.3V。其次为带有PhTMS 界田 修饰层并且有源层厚度为 30nm 时的器件，其场效应迁移率为 3.4xl0飞时:Ns，开 关电流比1.38xl02 ，阙值电应为2.74V 。不带修饰居时，其器件的场效应迁移率为 5.66xl0.3cm2Ns，开关电流比O.52xl02，阙值电压为3.94V。对器件结果分析后我 们发现，首先，修饰后，被处理的绝缘层表面会形成…个有机缓冲层，对绝缘层 和有源层薄膜之间有很好的兼容一致性，从而改善器件的性能。另外，经过 PhTMS 修饰后，并五苯晶粒尺寸变大使得单位面积晶粒密度减小，同时薄膜内部的晶界 密度减小，减小了薄膜内部的陷阱态的作用，从而改善器件的性能。最后我们发 现，在并五苯薄膜厚度为 4伽m 时并丑苯薄膜具有更大的晶粒尺寸，可以改善器件 性能。 最后，我们研究了有无修饰层下有机薄膜的生长机制。 在本章中我们探测了在有无修饰层的界面上生长不同厚度的并丑苯薄膜的 AFM 圈。通过对比其 AFM 图发现衬底经过 PhlMS 修饰后，在生长初期薄膜以岛 状生长为主，分子在生长过程中是以单一方向堆积