《传感器课件()》-公开·课件.pptVIP

第一代太阳能电池发展最长久技术也最成熟。可分为，单晶硅(Monocrystalline Silicon)、多晶硅(Polycrystalline Silicon)、非晶硅(Amorphous Silicon)。以应用来说是以前两者单晶硅与多晶硅为大宗。 第二代薄膜太阳能电池以薄膜制程来制造电池。种类可分为多晶硅(Polycrystalline Silicon)、非晶硅(Amorphous Silicon)、碲化镉(Cadmium Telluride CdTe)、铜铟硒化物(Copper Indium Selenide CIS)、铜铟镓硒化物(Copper Indium Gallium Selenide CIGS)、砷化镓(Gallium arsenide GaAs) 第三代电池与前代电池最大的不同是制程中导入有机物和纳米科技。种类有光化学太阳能电池、染料光敏化太阳能电池、高分子太阳能电池、纳米结晶太阳能电池。 第四代则是针对电池吸收光的薄膜做出多层结构。 CCD 图像传感器是利用CCD 的光电转换和电荷转移双重功能。当一定波长的入射光照射到光敏元上时，会产生电子空穴对（光生电荷），电子被吸引存储在势阱中。其数目与光照时间和光强度成正比。使用时钟控制将CCD 的每一位下的光生电荷依次转移出来，分别从同一输出电路上检测出，就可以得到幅度与各光生电荷包成正比的电脉冲序列，从而将照射在CCD 上的光学图象转换成了电信号“图象” 说到CCD的尺寸，其实是说感光器件的面积大小，这里就包括了CCD和CMOS。感光器件的面积大小，CCD/CMOS面积越大，捕获的光子越多，感光性能越好，信噪比越低。CCD/CMOS是数码相机用来感光成像的部件，相当于光学传统相机中的胶卷。 CCD上感光组件的表面具有储存电荷的能力，并以矩阵的方式排列。当其表面感受到光线时，会将电荷反应在组件上，整个CCD上的所有感光组件所产生的信号，就构成了一个完整的画面。 3．面型CCD图像传感器 面型CCD图像传感器由感光区、信号存储区和输出转移部分组成。目前存在三种形式。 图(a)所示结构由行扫描电路、垂直输出寄存器、感光区和输出二极管组成。行扫描电路将光敏元件内的信息转移到水平（行）方向上，由垂直方向的寄存器将信息转移到输出二极管，输出信号由信号处理电路转换为视频图像信号。这种结构易于引起图像模糊。 二相驱动 视频输出 ? 行 扫 描 发 生 器 输出寄存器 检波二极管 二相驱动 感光区 沟阻 P1 P2 P3 P1 P2 P3 P1 P2 P3 感光区 存储区 析像单元 视频输出 输出栅 串行读出 面型CCD图像传感器结构 (a) (b) 图（b）增加了具有公共水平方向电极的不透光的信息存储区。在正常垂直回扫周期内，具有公共水平方向电极的感光区所积累的电荷同样迅速下移到信息存储区。在垂直回扫结束后，感光区回复到积光状态。在水平消隐周期内，存储区的整个电荷图像向下移动，每次总是将存储区最底部一行的电荷信号移到水平读出器，该行电荷在读出移位寄存器中向右移动以视频信号输出。当整帧视频信号自存储移出后，就开始下一帧信号的形成。 光栅报时钟 二相驱动 输出寄存器 检波二极管 视频输出 垂直转移 寄存器 感光区 二相驱动 (c) R E - + I 当光照射时，光敏二极管处于导通状态。 当光不照射时，光敏二极管处于截止状态。 P N 2. 光敏三极管 集电结一边做得很大，以扩大光的照射面积，且基极一般不接引线。 P P N b e c N N P e b c 普通三极管 IC IB e EB EC IE RC Rb c b N N P 光敏三极管 IC IB e EB EC IE RC Rb c b N N P 基区很薄，基极一般不接引线； 集电极面积较大。 IC e EC IE RC c N N P b 当集电极加上正电压，基极开路 时，集电结处于反向偏置状态。 当光线照射在集电结的基区时， 产生电子、空穴对，光生电子被 拉到集电极，基区留下空穴，使 基极与发射极间的电压升高，相当于给发射结加了正向偏压，使电子大量流向集电极，形成输出电流，且集电极电流为光电流的?倍。 基本工作线路： c b e RL 3. 光敏晶体管的主要特性 (1) 光谱特性 存在一个最佳灵敏度波长 20 40 60 80 100 400 800 1200 1600 入射光 波长/nm 锗 硅 相对灵敏度（%） 0 (2) 伏安特性 0 1 2 3 4 5 外加电压（V） 20 40 60 80 I（mA) 2500Lx 2000Lx 1500