南京理工大学单片机应用技术课件第六章 单片机系统扩展.ppt

一、程序存储器的扩展 1.EPROM扩展实例 (2)硬件电路 (3)芯片说明 74LS373 74LS373是带三态缓冲输出的8D锁存器 由于单片机数据线与地址线的低8位共用P0口，因此必须用地址锁存器将地址信号和数据信号区分开。 74LS373的锁存控制端G直接与单片机的地址锁存控制信号ALE相连，在ALE的下降沿锁存低8位地址。 (4)扩展总线的产生 MCS-51系列单片机由于受管脚的限制，数据线与地址线是复用的，为了将它们分离开来，必须在单片机外部增加地址锁存器，构成与一般CPU相类似的三总线结构。 一般的CPU，如Intel 8086/8088、Z80等，都有独立的地址总线、数据总线和控制总线。 (5)扩展程序存储器地址范围 决定扩展存储器芯片地址范围的因素有两个： 一个是片选端必须为低电平， 一个是芯片本身的地址线与单片机地址线的连接，单片机本身地址线的编码确定了芯片的容量。 取决于CE（片选）和地址线的接法，本例中CE接地。 试根据电路图，确定其中EPROM的地址范围。 注意：CE的连接，当同时扩展多片ROM时，可采用译码法或线选法来分别选中芯片，每个芯片分配的地址范围不同。 2. EEPROM扩展实例 (2)硬件电路图 (3)连线说明 2817A的11条地址线 2817A的8位数据线直接与单片机的P0口相连 控制线 控制程序存储器的读操作，取指令阶段和执行MOVC A,@A+DPTR指令时有效； 控制数据存储器的读操作，执行MOVX @DPTR,A和MOVX @Ri,A时有效； 控制数据存储器的写操作，执行MOVX A,@DPTR和MOVX A,@Ri时有效。 (4)芯片说明 如果只是把2817A作为程序存储器使用，使用方法同EPROM相同。EEPROM也可以通过编程器将程序固化进去。 如果将2817A作为数据存储器，读操作同使用静态RAM一样，直接从给定的地址单元中读取数据即可。向2817A中写数据采用MOVX @DPTR,A指令。 用译码法扩展一片2764 3.扩展三总线 ① 数据线，通常有8位数据线，由P0口提供； ② 地址线，地址线的条数决定了程序存储器的容量。低8位地址线由P0口通过锁存器提供，高8位由P2口提供，具体使用多少条地址线根据扩展容量而定； ③ 控制线，存储器的读允许信号与单片机的取指信号相连；存储器片选线的接法决定了程序存储器的地址范围，当只采用一片程序存储器芯片时可以直接接地，当采用多片时要使用译码器来选中。 二、数据存储器的扩展 8031系统中扩展2KB静态RAM 对比，举一反三 RAM与ROM的相同 因为不同的指令访问——将产生不同的控制信号 ROM：MOVC指令及取指令操作—— 有效， 、 无效 RAM：MOVX—— 无效， / 有效 MOVX A，@DPTR; 读操作，产生 低电平信号 MOVX @DPTR , A; 写操作，产生 低电平信号 快擦写型存储器（Flash Memory） 快擦写型存储器是一种电可擦除、非易失性存储器，也称为闪存，其特点是快速在线修改，且掉电后信息不丢失。近年来，Flash Memory大量用来制作存储器卡。 根据供电电压的不同，大体可以分为两大类： 一类是从用紫外线擦除的EPROM发展而来的需要用高压12V编程的器件，通常需要双电源（芯片电源、擦除/编程电源）供电，型号序列为28F系列。 另一类是从5V编程的以EEPROM为基础的器件，它只需要单一电源供电，其型号序列通常为29C系列。 1. 简单I/O口扩展 用并行口扩展I/O口 选择TTL电路或MOS电路即能组成简单的扩展I/O口。 如用8位三态缓冲器74LS244可扩展输入口； 用8D锁存器74LS273、74LS373等可组成输出口。 芯片为TTL电路74LS244、74LS273。 74LS244为8缓冲线驱动器（三态输出），G1,G2为低电平有效的使能端，当二者之一为高电平时，输出为三态。 74LS273为8D触发器，为低电平有效的清除端，当=0时，输出全为0且与其他输入端无关；CP端是时钟信号，当CP由低电平向高电平跳变时刻，D端输入数据传送到Q输出端。 2. 口地址的确定 因为74LS273和74LS244都是在P2.0为0时被选通,所以二者地址都可以为FEFFH。 两个芯片的地址虽然相同,但可以通过读写操作来区别 编程应用如下： MOV DPTR，#0FEFFH ；指向口地址 MOVX A，@DPTR ;指向74LS244读入数据，检测按键 MOVX @DPTR，A