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天津农学院
200_/200—学年第—学期考试试卷1
课程名称:电力电子技术 课程代码:
题号―-二三四五
题号
―-
二
三
四
五
六
七
八
九
十
总分
复核人
得分
阅卷人
120分钟
-、填空题(共8小题,每空1分,共20分)
本卷为丄卷,共丄-页,考试方式:闭卷,考试时间:
1、 电子技术包括—信息电子技术 和电力电子技术两大分支,通常
所说的模拟电子技术和数字电子技术就属于前者。
2、 为减少自身损耗,提高效率,电力电子器件一般都工作在—开关—状态。
当器件的工作频率较高时,—开关 损耗会成为主要的损耗。
3、 在PWM控制电路中,载波频率与调制信号频率Z比称为 ,当
它为常数时的调制方式称为 调制。在逆变电路的输出频率范围划分成
若干频段,每个频段内载波频率与调制信号频率Z比为桓定的调制方式称为 调制O
4、 面积等效原理指的是, 相等而 不同的窄脉冲加在具有惯性
的环节上时,其效果基本相同。
5、 在GTR、GTO、IGBT与M0SFET屮,开关速度最快的是 ,单管输出
功率最大的是 ,应用最为广泛的是 。
6、 设三相电源的相电压为匕,三相半波可控整流电路接电阻负载时,晶闸管可 能承受的最大反向电压为电源线电压的峰值,
即 屜 ,其承受的最大正向电压
为 题 。
7、 逆变电路的负载如果接到电源,则称为 有源 逆变,如果接到负载, 则称为无源 逆变。
8、如下图,指出单相半桥电压型逆变屯路工作过程屮各时间段电流流经的通路
(用 V1,VD1,V2, VD2 表示)。
O?tl吋间段内,电流的通路为
tPt2时间段内,电流的通路为
t2?t3吋间段内,电流的通路为
t3?t4吋间段内,电流的通路为
t4~t5时间段内,电流的通路为
a) b)
二、选择题(共10小题,前4题每题2分,其余每题1分,共14分)
1、单相桥式PWM逆变电路如下图,单极性调制工作时,在电压的止半周是
( )
A、VI与V4导通,V2与V3关断 B、VI常通,V2常断,V3与V4交替
通断
C、VI与V4关断,V2与V3导通 D、VI常断,V2常通,V3与V4交替
通断
? 420 4ME
? 420 4ME桥式
2、对于单相交流调压电路,下面说法错误的是(
A、 晶闸管的触发角大于屯路的功率因素角时,晶闸管的导通角小于180度
B、 晶闸管的触发角小于电路的功率因素角吋,必须加宽脉冲或脉冲列触发,电 路才能正常工作
C、 晶闸管的触发角小于电路的功率因素角正常工作并达到稳态时,晶闸管的导 通角为180度
D、 晶闸管的触发角等于电路的功率因素角时,晶闸管的导通角不为180度
3、在三相三线交流调压电路屮,输出电压的波形如下图所示,在tl气2时间段 内,有( )晶闸管导通。
A、1个 B、2个 C、3个 D、4个
tl t2 13
4、对于单相交交变频屯路如下图,在tl~t2时间段内,P组晶闸管变流装置与 N组晶闸管变流装置的工作状态是( )
A、P组阻断,N组整流 B、P组阻断,N组逆变
C、N组阻断,P组整流 D、N组阻断,P组逆变
5、电阻性负载三相半波可控整流电路中,控制角的范围是(
A、 30° ?150°C、 15° ?125°B、 0° ?120°D、 0° ?
A、 30° ?150°
C、 15° ?125°
B、 0° ?120°
D、 0° ?150°
6、桓流驱动电路中加速电容C的作用是(
A、加快功率晶体管的开通
C、加深功率晶体管的饱和深度
)
B、延缓功率晶体管的关断
D、保护器件
7、直流斩波电路是一种(
)变换电路。
A、 AC/AC
B、 DC/AC
C、 DC/DC
D、 AC/DC
8、为限制功率晶体管的饱和深度,减少存储I]寸间,桓流驱动电路经常采用( )
A、du/dt抑制电路
B、抗饱和电路
C、di/dt抑制电路 D、吸收电路
9、已经导通的晶闸管的可被关断的条件是流过晶闸管的电流( )
A、减小至维持电流以下
B、减小至擎住电流以下
C、减小至门极触发电流以下
D、减小至5A以下
( )B、M0SFET 驱动的
( )
B、M0SFET 驱动的 GTR
D、M0SFET 驱动的 GT0
A、GTR 驱动的 M0SFET
C、M0SFET驱动的晶闸管
三、计算题(共1小题,20分)
1、 电路如图所示,单相全控桥式整流电路接大屯感负载,R二4Q, D二220V。
(1) 触发角为60°时,(小 试求山、1八晶闸管电流平均值1河、晶闸管电流有效 值5、变压器副边电流有效值b (b)作出山、id、iVT2 i2的波形图(图标清楚, 比例适当)。
(2) 当负载两端接有续流二极管时,(3)试求Ud、Id、1曲、Ivr、Ivo、IdVD、I2;
(b)作出山、id、ivT2 i
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