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Ch.5 化学气相沉积 Ch.5 化学气相沉积 本章主要内容 ★化学气相沉积的基本原理 ★ ★化学气相沉积的特点 ★ ★CVD方法简介 ★ ★低压化学气相沉积（LPCVD ） ★ ★等离子体化学气相沉积 ★ ★其他CVD方法 ★ 化学气相沉积——基本原理 基本原理 ★ 化学气相沉积的基本原理 ★ 化学气相沉积的基本原理 化学气相沉积的定义（CVD ） 化学气相沉积是利用气态物质通过化学反应在基片表 面形成固态薄膜的一种成膜技术。 CVD反应指反应物为气体而生成物之一为固体的化学反应。 化学气相沉积——基本原理 基本原理 按照不同方式的分类： ⎧ ⎧常压CVD ：无需真空、靠载气输运、污染较大 ⎪按工作压力不同，可分为⎨ ⎪ ⎩低压CVD ：易于气化反应物、无载气、污染小 ⎪ ⎪ CVD 200 ~ 500 ⎪ ⎧低温 （ ℃） ⎪ ⎪ CVD 500 ~ 1000 ⎪按沉积温度不同，可分为 中温⎨ （ ℃） ⎪ ⎪ CVD 1000 ~ 1300 ⎩高温 （ ℃） ⎪ ⎨ ⎪ ⎪按加热方式不同，可分为⎨⎧热壁CVD ：整炉高温、等温环境 ⎪ ⎩冷壁CVD ：局部加热（仅基片和基片架） ⎪ ⎪ ⎪ ⎧热激活（普通CVD） ⎪ ⎪ ⎪按反应激活方式不同，可分为 光致活化⎨ CVD （紫外光、激光、可见光） ⎪⎩ ⎪⎩等离子体激活（PECVD ） 化学气相沉积——基本原理 基本原理 CVD和PVD （CVD完全不同于物理气相沉积（PVD ）） CVD方法与PVD方法比较 项目 PVD CVD 含有生成膜元素的化 生成膜物质的蒸气， 物质源 合物蒸气．反应气体 反应气体 等 提供激活能，高温， 激活方式 消耗蒸发热，电离等 化学自由能 250-2000 ℃（蒸发源） 制备温度 25 ℃-合适温度（基 150-2000℃（基片） 片） 成膜速率 25-250um/h 25-1500um/h