镁铜锌铁氧体的制备、结构和性能的研究-材料物理与化学专业毕业论文.docxVIP

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  • 2019-05-26 发布于上海
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镁铜锌铁氧体的制备、结构和性能的研究-材料物理与化学专业毕业论文.docx

中文摘要 近年来,随着电子器件向小型化和轻量化方向发展,以及通讯、计算机技术 的飞速发展,叠层片式电感器作为一类重要的电子元器件,得到了广泛应用和深 入研究。迄今为止,在叠层片式电感用软磁铁氧体材料中,广泛采用的高频电感 材料主要集中在NiCuZn系铁氧体,最近一些研究者发现,相比NiCuZn铁氧体, MgCuZn铁氧体有着良好的磁性能和烧结特性,且成本更低,是一种较为理想的叠 层片式电感用材料。 本文以分析纯的硝酸镁、硝酸铜、硝酸锌和硝酸铁为原料,采用化学共沉淀 法制备镁铜锌铁氧体。借助X射线衍射仪(XRD)、振动样品磁强计(VSM)、LCR测量 仪等测试手段,重点对预烧温度、烧结温度及主配方对MgCuZn铁氧体结构和磁性 能的影响规律和作用机制进行了研究探讨。 预烧温度选择400℃~800℃范围。结果表明:预烧料中只含有单一的铁氧体 晶相。适当的提高预烧温度有利于提高铁氧体粉体材料的饱和磁化强度、烧结体 的烧结密度、初始磁导率和初始磁导率的温度稳定性。综合各种磁性能,较适宜 的预烧温度为600℃,高于和低于这个温度,烧结MgCuZn铁氧体材料的磁性能会 得到恶化。在900℃~1050℃烧结温度范围内,铁氧体磁特性随烧结温度的增大 而提高。 0.55-x x 0.45 2 4用化学共沉淀法合成不同铜含量的Mg Cu Zn Fe 0.55-x x 0.45 2 4 对镁铜锌铁氧体粉体结构与磁性能的影响。Cu2+离子含量增大时,铁氧体仍然保 持尖晶石结构;晶粒尺寸随Cu2+的增大变化不大,饱和磁化强度和初始磁导率随 着Cu2+含量的增大均呈现先升高后下降的趋势;矫顽力与晶粒尺寸成正比。居里 温度随铜离子含量的增大单调递增。 与相关文献报导的固相反应法和溶胶-凝胶法相制备的 MgCuZn 铁氧体材料 相比,用化学共沉淀法制备镁铜锌铁氧体有这样几个明显的优点。第一,操作简 单,无污染。第二,形成单一晶相的铁氧体所需要的预烧温度低。第三,在获得 较高的磁特性的同时,烧结温度有了一定的降低。 关键词: 化学共沉淀法,镁铜锌铁氧体,预烧温度,初始磁导率,低温烧结 ABSTRACT With the development of the miniaturization and lightness of electronic devices, and with the rapid development of telecommunication and computer technology, as a kind of important electronic component, multilayer chip inductors have been deeply researched and got extensive applications. Up to now, the materials used for high frequency multilayer chip inductors are mainly the NiCuZn ferrites. But recently, some researchers have found that MgCuZn ferrites have better magnetic and sintering properties than that of NiCuZn ferrites, and beause of the lower cost, MgCuZn ferrites are suitable for multilayer chip inductors. In this dissertation, we used analytical grade magnesium nitrate [Mg(NO3)2·6H2O], zinc nitrate [Zn(NO3)2·6H2O], copper nitrate [Cu(NO3)2·3H2O] and iron nitrate [Fe(NO3)3·9H2O] as the raw material, and prepared MgCuZn ferrites by adopting the chemical co-precipitation method. We mainly investigate the effect of the presintering temperature, sintering temperature and main ingredient on the properties of MgCuZn ferrites by using the technology of X-ray diffractometer (X

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