齐鲁医药学院模拟电子技术课件 半导体二极管及其特性.pptVIP

1.2 半导体二极管及其特性 1.2.1 二极管的结构与类型 1.2.2 二极管的伏安特性 死区电压Uth 导通电压U D(on) 反偏截止； 反向击穿，反向击穿电压U(BR) 三、温度对二极管特性的影响 在室温附近，温度每升高 1?C，正向导通压降约减小 2 ~ 2.5mV 。 温度每升高 10?C，反向电流约增大一倍。 1.2.3 二极管的主要参数 1.2.3 二极管的主要参数 1.2 复习要点 作业： * * 1.2.1 二极管的结构与类型 1.2.2 二极管的伏安特性 1.2.3 二极管的主要参数 点接触型 平面型 适用高频、小电流 适用低频、大电流 主要用于集成电路 面接触型 常见的普通二极管外形 一、伏安方程 式中 IS ——反向饱和电流 UT ——温度电压当量 常温下（T=300K）: UT = 26mV uD ＋ _ iD 二、伏安特性曲线 具有单向导电性，在电路中可用作开关。 导通后具有恒压特性。 应避免工作于反向击穿区 可见： PN结未损坏，可逆。 电击穿： 热击穿： PN结烧毁，不可逆。 讨论：硅管和锗管的伏安特性有何异同？ 硅管的死区电压大些，但反向电流小得多；反向工作电压较高；允许的最高结温高。实用中多用硅管 死区电压 门坎电压 Ut