射频HBT功率放大器热效应研究-微民子学与固体电子学专业毕业论文.docxVIP

东南大学学位论文独创性声明本人声明所呈交的学位论文是我个人在导师指导下进行的研究工作及取得的研究成果。 东南大学学位论文独创性声明 本人声明所呈交的学位论文是我个人在导师指导下进行的研究工作及取得的研究成果。 尽我所知，除了文中特别加以标注和致谢的地方外，论文中不包含其他人已经发表或撰写过 的研究成果，也不包含为获得东南大学或其它教育机构的学位或证书而使用过的材料。与我 一同工作的同志对本研究所做的任何贡献均己在论文中作了明确的说明并表示了谢意。 研究生签名盈壹聂狸日期：趁丛!至：!≥ 东南大学学位论文使用授权声明 东南大学、中国科学技术信息研究所、国家图书馆有权保留本人所送交学位论文的复印 件和电子文档，可以采用影印、缩印或其他复制手段保存论文。本人电子文档的内容和纸质 论文的内容相一致。除在保密期内的保密论文外，允许论文被查阅和借阅，可以公布(包括 以电子信息形式刊登)论文的全部内容或中、英文摘要等部分内容。论文的公布(包括以电 子信息形式刊登)授权东南大学研究生院办理。 研究生签名： 4 万方数据 摘要摘要 摘要 摘要 砷化镓异质结双极型晶体管(GaAs HBT)在高频时具有功率密度大、线性度好、 效率高等优点广泛应用于射频功率放大器(RF PA)的设计。近年来，RF PA的集成度 日益增强导致功率密度不断上升。而GaAs材料导热系数小，放大器因而产生严重的热 效应，致使HBT晶体管温度上升，其器件电学性能发生变化，从而恶化射频功率放大 器的功率输出特性，成为制约其进一步发展的瓶颈。迫切需要对射频HBT功率放大器 的热效应机理、相关电热耦合模型以及电路设计方法展开深入研究，这对设计功率输出 特性良好的射频HBT功率放大器具有重要意义。 本文从射频HBT功放电路芯片热设计思路出发，详细研究了射频功放的热传导机 制、GaAs HBT晶体管温控特性及并联多管电热耦合关系等热效应问题，揭示了功放热 效应的内在机理，建立了精确的分布式热电耦合模型，提出了热电性能均改善的自适应 功率单元技术，并优化了放大器版图结构，完成了一款高性能射频功率放大器芯片的设 计。论文主要创新成果如下： 1、建立了分布式电热耦合模型，指出功率放大器实际工作中晶体管的温度呈非均 匀分布特性，且温度分布特性取决于晶体管热源(直流功耗)大小及散热环境(所处位 置、指间距等)优劣，这为功放热设计提供理论参考。 2、提出了自适应功率单元技术，基于该技术，功放中的晶体管在工作过程中可随 输入功率的增加逐渐打开，功放效率高，晶体管平均直流功耗减小，从而热源减小，可 有效抑制晶体管温升，改善热效应。 3、提出了采用镇流电阻网络实现自适应功率单元技术，基于镇流电阻的负反馈作 用，改善了放大器的非线性特性。 4、优化了自适应功放的版图结构，在不改变电气连接条件下将镇流电阻小的晶体 管置于散热条件好的外侧，而镇流电阻大的晶体管置于散热条件差的内侧，并将指间距 设计成由外向内逐渐减小的趋势，使晶体管温度曲线呈现均匀且低值的分布特性。 5、基于AWSC 29mGaAs HBT工艺设计了一款2．4GHz射频功放。在5V的电源电 压条件下，输出功率为32dBm，效率达48％，与传统放大器相比，提高了5％左右。在 频问距为600KHz条件下，IMD3在25dBm输出时可改善10dB。在热效应发生后，其 输出功率变化仅为O．5dB，下降幅度远小于传统结构放大器。 关键词：射频功率放大器，热效应，GaAs HBT，热电耦合模型，镇流电阻，效率， 线性度，指间距 万方数据 东南大学博士学位论文Abstract 东南大学博士学位论文 Abstract GaAs heterojunction bipolar transistor(HBT)has been widely used in RF power amplifier (PA)design for its outstanding power densit5 good linearity and superior efficiency at high frequency．In the past few years，there has been a trend of growing integration for power amplifier which generates an increasing power comsumption density．The GaAs material， however,has a poor thermal conductivity．As a result，the power amplifier appears serious thermal effects．The transistor is heated