太原工业学院低频电子线路课件第一章 半导体器件基础.pptVIP

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  • 2019-05-14 发布于广东
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太原工业学院低频电子线路课件第一章 半导体器件基础.ppt

无论是NPN型或是PNP型的三极管,它们均包含三个区: 发射区、基区和集电区, 并相应地引出三个电极:发射极(e)、基极(b)和集电极(c)。同时,在三个区的两两交界处, 形成两个PN结, 分别称为发射结和集电结。常用的半导体材料有硅和锗, 因此共有四种三极管类型。它们对应的型号分别为:3A(锗PNP)、3B(锗NPN)、3C(硅PNP)、3D(硅NPN)四种系列。 1.3.2 三极管的三种连接方式 图 1 - 30 三极管的三种连接方式 1.3.3 三极管的放大作用 1. 载流子的传输过程 发射 (2) 扩散和复合 (3) 收集 图 1 – 31 三极管中载流子的传输过程 2. 电流分配 图 1 - 32 三极管电流分配 集电极电流IC由两部分组成:ICn和ICBO, 前者是由发射区发射的电子被集电极收集后形成的, 后者是由集电区和基区的少数载流子漂移运动形成的,称为反向饱和电流。 于是有  IC=ICn+ICBO (1 - 6) 发射极电流IE也由两部分组成:IEn和IEp。IEn为发射区发射的电子所形成的电流, IEp是由基区向发射区扩散的空穴所形成的电流。因为发射区是重掺杂, 所以IEp忽略不计, 即IE≈IEn。IEn又分成两部分, 主要部分是I

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