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第4期 微处理机 第4期 微处理机 No．4 2012年8月 MICROPROCESSORS Aug．，2012 半导体硅片清洗设备研究进展 林晓杰。，刘丽君2，王维升2 (1．中国电子科技集团公司第四十七研究所，沈阳110032； 2．沈阳硅基科技有限公司，沈阳110169) 摘 要：阐述了半导体硅片清洗的一些重要设备。主要包括湿法化学清洗、兆声波清洗以及机 械刷洗设备等常用的设备及配置，同时也介绍了近几年逐渐获得应用的清洗设备方面的技术创新。 关键词：半导体；硅片；清洗；兆声波；设备 DOI编码：10．3969／j．issn．1002—2279．2012．04．008 中图分类号：TN305．97 文献标识码：A 文章编号：1002—2279(2012)04—0025一03 The AdVances in the EquipmentS Of the S¨icOn Wafer CIeaning LIN Xiao—jiel，UU Li—jun2，WANG Wei—shen92 (2．吼e 47砘R船e口rc^风￡i讹e矿蕊i，l口觑ec加n池死c^nDfq∥GrD印co甲Dm￡iDn，肌e7哆，0粥110032，醌im； 2．She，咿，辔S以缸D儿zoch，ID2p吕y Co．，删．，S矗e凡弘，培110169，C五i虺口) Abstract：This article mainly reported some important equipments of t}1e silicon wafer cleaning． These equipments mainly include the wet chemical clean，sinde wafer rotary cleaning and brush scrubber cleaning equipment that is commonly used． And also intmduces some innoVation cleaning equipment t}lat gradually obtained me application in the recent years． Key wrords：Silicon；Wafbr；Cleaning；Megasonic；Equipment 气相清洗等。不同的清洗技术需要专门的设备与之 1 引 言 配合。随着清洗技术的不断发展和进步，硅片清洗 早在50年代初期，硅片清洗对半导体工业的重 设备的研发和创新工作获得了长足的发展，并已经 要性就已经引起人们的高度重视，这是由于硅片表 逐步形成了一个趋于完善同时不断走向专业和细化 面的污染物会严重影响器件的性能、可靠性和成品 的行业。其中湿法清洗设备一直占据主导地 率。尤其是当集成电路由大规模向超大规模 位‘4一引。 (VISl)和甚大规模(u蛉I)发展时，电路的集成度日 2常用硅片清洗设备及装置 益提高、单元图形的尺寸日益微化，污染物对器件的 影响也愈加突出，以致于洁净表面的制备技术已成 2．1浸入式湿法清洗槽 为制作新一代DRAM的关键技术¨。3 o。 湿法化学清洗系统既可以是浸入式的又可以是 集成电路制造过程中的硅片清洗是指在氧化、 旋转式的。一般设备主要包括一组湿法化学清洗槽 光刻、外延、扩散和引线蒸发等工序前，采用物理或 和相应的水槽，另外还可能配有甩干装置。硅片放 化学方法去除硅片表面的污染物和自身氧化物，以 在一个清洗专用花篮中放人化学槽一段指定的时 得到符合清洁度要求的硅片表面的过程。 间，之后取出放人对应的水槽中冲洗。 硅片表面的污染物通常以原子、离子、分子、粒 对于清洗设备的设计来说，材料的选择至关重 子或膜的形式以化学或物理吸附的方式存在于硅片 要。使用时根据化学液的浓度、酸碱度、使用温度等 表面或硅片自身的氧化膜中。硅片清洗要求既能去 条件选择相应的槽体材料。从材质上来说一般有 除各类杂质又不损坏硅片。常见的清洗技术可分为 NPP、PVDF、PrFE、石英玻璃等口J。例如：PVDF、 物理清洗和化学清洗，化学清洗又包括湿法清洗和 IyIFE、石英玻璃等一般用在需加热的强酸强碱清 作者简介：林晓杰(1969一)，女，吉林人，工程师，主研方向：半导体材料制作与加工设备。 收稿日期：2012一02一lO 万方数据 微处理机 2012年 微处理机 2012年 洗，其中石英玻璃不能用在HF清洗中，NPP一般用 有lO—15度的倾斜角度，当有气泡产生时，由于浮 在常温下的弱酸弱碱清洗。而常温化学槽，一般为 力的作用气泡沿倾斜的石英槽底向上移动，脱离石 NPP材料。 英槽壁浮出水面，减少了气泡对兆声能量的损耗。 另外水浴外槽可根据不同的