运城学院微机原理与接口技术课件第8章 扩展存储器.pptVIP

* 就单片机发展方向而言，目前已经趋向于ISP程序下载方式，一方面由于原有不支持ISP下载的芯片逐渐被淘汰（部分已经停产，例如AT89C51），另一方面ISP使用起来十分方便，不需要编程器就可实现程序的下载，所以ISP下载方式已经逐步成为主流。 需注意，虽然ISP的程序下载方法简单易行，但对已有的单片机系统来说，单片机可能仍是较老机型，或在设计系统时由于程序存储器空间不够用等原因扩展了大容量存储器，此时ISP下载方式就显得无能为力了。另外有些厂家的单片机机型不支持ISP下载方式，所以有时还是要用到编程器。目前，各种通用的编程器型号较多，根据自己的需求进行选择即可。 * 8.5 E2PROM的并行扩展 在以单片机为核心的智能仪器仪表、工业监控等应用系统中，某些动态测试数据以及某些状态参数数据，不仅要求能够在线修改保存，而且断电后能保持。断电后的数据的保护可采用电可擦除写入的存储器E2PROM，其突出优点是能够在线擦除和改写。 E2PROM与Flash存储器都可在线擦除与改写，且都可断电保存数据，区别在于Flash存储器结构简单，同样的存储容量占芯片面积较小，成本自然比E2PROM低，且大数据量下的操作速度更快，但缺点是擦除、改写都是按扇区进行的，操作过程麻烦，所以Flash存储器的结构更适合数据量不需频繁改写的程 * * 序存储器。而传统结构的E2PROM，操作简单，可字节写入，非常适合用作运行过程中频繁改写的某些非易失的小数据量的存储器。 E2PROM有并行和串行之分，并行的速度比串行的快，容量大。例如并行的E2PROM 2864A的容量为8k×8位。而串行I2C接口的E2PROM与单片机的接口简单，比较流行的是ATMEL公司的串行芯片AT24C02/AT24C08/AT24C16等。 串行E2PROM AT24C02的扩展将在11.3.5小节中的作为I2C总线扩展的设计案例介绍。本节只介绍AT89S52单片机扩展并行E2PROM芯片2864的设计。 * 8.5.1 并行E2PROM芯片简介 常见的并行芯片有2816/2816A，2817/2817A，2864A等。引脚如图8-17所示，其主要性能见表8-11 (表中芯片均为Intel公司产品)。 在引脚设计上，2KB的E2PROM 2816与相同容量的EPROM 2716和静态RAM 6116是兼容的，8KB的E2PROM 2864A与同容量的EPROM 2764和静态RAM 6264也是兼容的。 2816、2817和2864A的读出数据时间均为250ns，写入时间10ms。 * * * 图8-17 常见的并行E2PROM引脚图 * * * 8.5.2 E2PROM的工作方式 下面对E2PROM 2864A的4种工作方式作以说明。 1．读方式 当 CE*和 OE*均为低而 WE*为高时，内部的数据缓冲器被打开，数据送上总线，此时可进行读操作。 2．写方式 2864A提供两种数据写入方式：页写入和字节写入。 （1）页写入 为提高写速度，2864A片内设置16字节的“页缓冲器”，将整个存储器阵列划分成512页，每页16字节。高9位(A12～A4) 确定页，低4位(A3～A0) 选择页缓冲器中的16个地址单元之一。 * * 写操作分两步来实现： 第一步，在软件控制下把数据写入页缓冲器，这步称为页装载，与一般的静态RAM写操作是一样的。 第二步，在最后一个字节(即第16个字节)写入到页缓冲器后20ns自动开始，把页缓冲器的内容写到E2PROM阵列中对应地址的单元中，这一步称为页存储。 写方式时， CE*为低，在WE*下降沿，地址码A12～A0被片内锁存器锁存，在 WE*上升沿数据被锁存。 片内有一个字节装载限时定时器，只要时间未到，数据可随机地写入页缓冲器。在连续向页缓冲器写数据过程中，不用担心限时定时器会溢出，因为每当 下降沿时，限时定时器 * * 自动被复位并重新启动计时。限时定时器要求写一个字节数据时间TBLW须满足：3μsTBLW20μs，这是正确对2864A页面写操作的关键。当一页装载完毕，不再有WE*信号时，限时定时器将溢出，页存储操作随即自动开始。首先把选中页的内容擦除，然后写入的数据由页缓冲器传递到E2PROM阵列中。 (2)字节写入 与页写入类似，写入一个字节，限时定时器就溢出。 3. 数据查询方式 用软件来检测写操作中页存储周期是否完成。在页存储期间，如对2864A执行读操作，那么读出的是最后写入的字节， * * 若芯片的转储工作未完成，则读出数据的最高位是原来写入字节最高位的反码。