毕业论文：低温共烧陶瓷基板制备技术研究.docVIP

l 第一章 绪论 1.1低温共烧陶瓷的概述 随着微电子信息技术的迅猛发展，电子整机在小型化、便携式、多功能、数字化及高可靠性、高性能方面的需求，进一步推动了电子元件日益向微型化、集成化和高频化的方向发展，这就要求基板能满足高传播速度、高布线密度和大芯片封装等要求。低温共烧陶瓷技术(Low Temperature Cofired Ceramic，LTCC)是近年来兴起的一种令人瞩目的多学科交叉的整合组件技术，涉及电路设计、材料科学、微波技术等广泛的领域。由于它在信息时代为各种电子系统的元器件以及模块小型化、轻量化提供了比较好的解决途径，因此在国内国际上越来越受到重视，广泛用于基板材料、封装材料以及微波器件材料等。其中该种基板被用作第五代电子元件组装用基板，已经成为无源集成的主流技术，成为无源元件领域的发展方向和新的元件产业的经济增长点。目前，LTCC材料在日本、美国等发达国家已进入产业化、系列化和可进行材料设计的阶段。许多LTCC材料生产厂家可以提配套系列产品。但在国内仍属于起步阶段，拥有自主知识产权的材料体系和器件几乎是空白。国内目前LTCC陶瓷材料基本有两个来源：一是购买国外陶瓷生带；二是LTCC生产厂从陶瓷材料到生带自己开发。随着未来LTCC制品市场中运用LTCC制作的组件数目逐渐被LTCC模块与基板所取代，终端产品产能过剩，价格和成本竞争日趋激烈，元器件的国产化必将提上议事日程，这为国内LTCC产品的发展提供了良好的市场契机。国内现在急需开发出系列化的、拥有自主知识产权的LTCC瓷粉料，并专业化生产LTCC用陶瓷生带系列，为LTCC产业的开发奠定基础。 1.11 LTCC基板材料的发展历程 LTCC基板材料技术的发展离不开材料科学和电子科学,材料科学的进步推动了它的发展,而电子科学又不断提出新的更高要求,从而促使它向着更先进更广阔的空间发展。为了获得高的信号传输速度,根据信号延迟时间公式Td=L·ε/c可知,信号传输速度与介电常数的平方成反比,故材料的介电常数越小,信号传输速度越快,系统性能越好[3]。20世纪70年代中期,烧成温度在1000℃以下的玻璃陶瓷基板问世。到了80年代,LTCC在超级计算机领域获得了应用。在该发展过程中最著名的IBM公司在玻璃陶瓷/Cu布线及相关理论方面做了大量工作,1977年对Corning公司提供的堇青石微晶玻璃进行了改性。纯堇青石由于烧成温度高于 1000℃,并由于过低的热膨胀系数容易因热应力引起失效问题。改性后的主要成分与纯堇青石相比,MgO的成分增加而Al2O3的成分减少了,这是因为过量的MgO可以促进基板烧结,且烧结后的基板中会残留部分玻璃相,提高了基板的热膨胀系数,从而能够与Si芯片更好地匹配。自此之后,对于LTCC基板材料的研究活跃起来,包括对材料体系的选择、优化和制备工艺的改进等,都取得了很多进展 和成就。美国和日本的科学工作者在这方面做了很多工作,包括:ZnO-MgO-Al2O3-SiO2系玻璃陶瓷材料的开发;在Al2O3系基板材料中加入低熔点玻璃(硅酸盐玻璃、铝硅酸盐玻璃等)和其他添加剂(如镁橄榄石、堇青石)以提高基板致密度;以及利用干压法成型添加了CaO、MgO、SiO2等的Al2O3基板的可行性研究。 1.12 LTCC的技术定义 所谓低温共烧陶瓷(Low-Temperature Cofired Ce-ramics，LTCC)技术，就是将低温烧结陶瓷粉制成厚度精确且致密的生瓷带作为电路基板材料，在生瓷带上利用激光打孔、微孔注浆、精密导体浆料印刷等工艺制出所需要的电路图形，并将多个无源元件埋入其中，然后叠压在起，在900℃下烧结，制成三维电路网络的无源集成组件；也可制成内置源元件的三维电路基板，在其表面可以贴装IC和有源器件，制成无源/有源集成的功能模块，利用这种技术可以成功地制造出各种高技术LTCC产品。多个不同类型、不同性能的无源元件集成在一个封装内有多种方法，主要有低温共烧陶瓷(LTCC)技术、薄膜技术、硅片半导体技术、多层电路板技术等。目前,LTCC技术是无源集成的主流技术。LTCC整合型组件包括各种基板承载或内埋各式主动或被动组件的产品，整合型组件产品项目包含零组件(Components)、基板(Substrates)与模块(Modules)。 1.13 LTCC技术的特点 LTCC与其它多层基板技术相比较,具有以下特点： (1)易于实现更多布线层数,提高组装密度； (2)易于内埋置元器件，提高组装密度，实现多功能； (3)便于基板烧成前对每一层布线的互连通孔进行质量检查有利于提高多层基板的成品率和质量，缩短生产周期,降低成本； (4)具有良好的高频特性和高速传输特性； (5)易于形成多种结构的空腔，实现性能优良的多功能微波MCM； (6)与薄膜多