西安电子科技大学化合物半导体材料与器件课件第六章 量子器件与热电子器件.pptVIP

化合物半导体器件 化合物半导体器件Compound Semiconductor Devices微电子学院戴显英2014.10 隧道二极管 共振隧道二极管 热电子器件 第六章 量子器件与热电子器件 量子效应：如CMOS器件，随栅氧化层厚度的减小，电子隧穿进入氧化层，导致栅击穿。 热载流子效应：当其能量达到或超过Si/SiO2 界面势垒时，热载流子便会注入到SiO2层，产生界面态、氧化层陷阱或被陷阱俘获，使氧化层电荷增加或波动不稳。 隧道二极管：由一简单的重掺杂p-n结构成，其电流主要有隧道电流和热电流组成。 第六章 量子器件与热电子器件 隧道二极管 6.1 隧道二极管 6.1.1 隧穿系数T 图6.1 （a）一维势垒，（b）波函数穿过势垒的示意图 （a） （b） 粒子通过一维势阱的隧穿 经典理论：若能量小于势垒高度，粒子总被反射回来。 量子理论：若能量小于势垒高度，粒子以一定的几率隧穿 过势垒。 6.1 隧道二极管 图6.3 隧道二极管的典型静态电流电压特性 6.1.2 I-V特性 三个电流分量： 1）带间隧道电流（Band-to-Band tunneling current） 2）过剩电流（Excess current） 3）热电流（Thermal current） 正向特性：负阻现象 1）峰值电压Vp处有峰值 电流Ip； 2）谷底电压Vv处有谷底 电流Iv； 反向特性：电流单调增加 6.1 隧道二极管 图6.4 四种状态下，隧道二极管的简化能带图。（a）未加偏置，未达到峰值电压；（b）正向偏置，接近谷值电压；（c）正向偏置，有热电流流过；（d）反向偏置 能带图： 载流子发生隧穿的条件： ①在结的两边，一侧 具有被占居的能量状 态，另一侧具有空的 能量状态； ②结两边的能量状态 位于同一能级。 IP/IV：决定负电阻的大小（衡量TD好坏） 隧道二极管 共振隧道二极管（RTD） 热电子器件 第六章 量子器件与热电子器件 6.2 共振隧道二极管 6.2.1 谐振隧穿结构 图6.6 有限深势阱的隧穿效应 双异质势垒的共振隧穿机制（条件）： ①约束粒子的势垒宽度与德布罗意波长 相当； ②约束势垒高度有限。 双异质势垒结构： 窄禁带半导体夹在两层宽禁带半导体之间，形成一个量子阱和两个势垒。 1）器件结构： n+GaAs/AlAs/GaAs/AlAs/n+GaAs ①4个异质结：2个势垒，1个势阱； ②两端重掺杂； ③势垒宽度LB=1.7nm， 势阱宽度LW=4.5nm。 6.2 共振隧道二极管 图6.8 （a）双势垒结构及其分立能级 （b）隧穿系数随电子能量的变化关系 谐振隧穿几率： 若是对称结构，则TE=TC； 当入射电子的能量等于 势阱中的分立能级En时， T=1；。 2）能带图： ①双势垒： ②单势阱： ③两端n+GaAs： 3）电子能量与隧穿系数 的关系-隧穿效应 6.2 共振隧道二极管 6.2.2 I-V特性 图6.9 谐振隧道二极管的电流电压关系曲线 负微分电阻特性 6.2 共振隧道二极管 图6.11 InAs/AlSb/GaSb结构的 双势垒谐振带间隧道二极管 6.2.3 谐振带间隧道二极管 势阱：GaSb的价带中 器件结构：InAs/AlSb/GaSb/AlSb/InAs 器件特点：谷底电流小 RTD特点：寄生电容小，可工作在很高的频率下（fT可达THz）。 RTD的应用：超快脉冲产生电路、T赫兹信号振荡器、T赫兹雷达探测系统等。 （a）热平衡 （b）非热平衡 隧道二极管 共振隧道二极管 热电子器件 第六章 量子器件与热电子器件 6.3 热电子器件 6.3.1 热电子异质结双极晶体管（hot-electron HBT） 图6.12 热电子异质结双极晶体管的能带图 1）器件结构 2）能带图 3）载流子输运 4）基区渡越 5）器件特征 热电子：Hot-electron，动能远大于kT的电子。 特征：其有效电子温度Te大于晶格温度。 产生机制：器件尺寸缩小，导致内部电场增大，使部分 电子处于高能状态（远大于kT）。 6.3 热电子器件 6.3.2 实空间转移晶体管 （real space transfer transistor） 1）热电子转移现象 图6.13 热电子在实际空间中的转移 由于热电子转移产生了负阻效应的现象。 发生热电子转移，产生负阻效应的条件： ①晶格温度足够低 ②ΔECkT ③ΔECΔEg 6.3 热电子器件 2）实空间转移晶体管-RSTT 6.3.2实空间转移晶体管 （rea