西北师范大学模拟电子技术基础课件四 场效应管放大电路.ppt

第四章 场效应管放大电路 引言： 1.场效应管的特点 (1)它是利用改变外加电压产生的电场强度来控制其导电能力的半导体器件。 (2)它具有双极型三极管的体积小、重量轻、耗电少、寿命长等优点， (3)还具有输入电阻高、热稳定性好、抗辐射能力强、噪声低、制造工艺简单、便于集成等特点。 (4)在大规模及超大规模集成电路中得到了广泛的应用。 2.场效应管的分类 根据结构和工作原理的不同，场效应管可分为两大类： (1)结型场效应管(JFET) (2)绝缘栅型场效应管(IGFET)。 3.本章内容 (1)结型场效应管的结构、工作原理、特性曲线和主要参数 (2)绝缘栅型场效应管的结构、工作原理、特性曲线和主要参数 (3)场效应管放大电路。 4.1 结型场效应管 1．结型场效应管的结构 结型场效应管的结构如图1(a)所示。 在一块N型半导体材料的两边各扩散一个高杂质浓度的P+ 区,就形成两个不对称的P+N结，即耗尽层。把两个P+区并联在一起，引出一个电极g，称为栅极，在N型半导体的两端各引出一个电极，分别称为源极s和漏极d。 场效应管的与三极管的三个电极的对应关系： 栅极g--基极b 源极s--发射极e 漏极d--集电极c 夹在两个P+N结中间的区域称为导电沟道（简称沟道）。 图1(a)所示的管子的N区是电流的通道，称为N沟道结型场效应管。 N沟道结型场效应管的电路符号如图1(b)所示。其中，栅极上的箭头表示栅极电流的方向（由P区指向N区）。由结型场效应管代表符号中栅极上的箭头方向，可以确认沟道的类型。N沟道JFET的结构剖面图如图2所示 2.结型场效应管的工作原理 N沟道和P沟道结型场效应管的工作原理完全相同，现以N沟道结型场效应管为例，分析其工作原理。N沟道结型场效应管工作时，需要外加如图4所示的偏置电压. (c)在vDS较小时，iD随vDS增加而几乎呈线性地增加 它对iD的影响应从两个角度来分析： 一方面vDS增加时，沟道的电场强度增大，iD随着增加； 另一方面，随着vDS的增加，沟道的不均匀性增大，即沟道电阻增加，iD应该下降，但是在vDS较小时，沟道的不均匀性不明显，在漏极附近的区域内沟道仍然较宽，即vDS对沟道电阻影响不大，故iD随vDS增加而几乎呈线性地增加。 随着vDS的进一步增加，靠近漏极一端的P+N结上承受的反向电压增大，这里的耗尽层相应变宽，沟道电阻相应增加，iD随vDS上升的速度趋缓。 (d)当vDS增加到vDS=vGS-VP，即vGD=vGS -vDS=VP(夹断电压)时，沟道预夹断 此时,漏极附近的耗尽层即在A点处合拢，如图6(b)所示，这种状态称为预夹断。 与前面讲过的整个沟道全被夹断不同，预夹断后，漏极电流iD≠0。因为这时沟道仍然存在，沟道内的电场仍能使多数载流子(电子)作漂移运动，并被强电场拉向漏极。 (e)若vDS继续增加，使vDS＞vGS－VP,即vGD＜VP时，耗尽层合拢部分会有增加，即自A点向源极方向延伸，如图6(c)，夹断区的电阻越来越大，但漏极电流iD不随vDS的增加而增加,基本上趋于饱和， 因为这时夹断区电阻很大，vDS的增加量主要降落在夹断区电阻上，沟道电场强度增加不多，因而iD基本不变。但当vDS增加到大于某一极限值(用V(BR)DS表示)后，漏极一端P+N结上反向电压将使P+N结发生雪崩击穿，iD会急剧增加，正常工作时vDS不能超过V(BR)DS。? 从结型场效应管正常工作时的原理可知： ①??? 结型场效应管栅极与沟道之间的P+N结是反向偏置的，因此，栅极电流iG≈0，输入阻抗很高。 ②??? 漏极电流受栅-源电压vGS控制，所以场效应管是电压控制电流器件。 ③??? 预夹断前，即vDS较小时，iD与vDS间基本呈线性关系；预夹断后，iD趋于饱和。 P沟道结型场效应管工作时，电源的极性与N沟道结型场效应管的电源极性相反。 3.结型场效应管的特性曲线 由于结型场效应管的栅极输入电流iG≈0，因此很少应用输入特性曲线，常用的特性曲线有输出特性曲线和转移特性曲线。 (1)输出特性曲线 输出特性曲线用来描述vGS取一定值时，电流iD和电压vDS间的关系，即 它反映了漏-源电压vDS对iD的影响。 N沟道结型场效应管的输出特性曲线如图7所示 4.3.6 场效应管与三极管的性能比较 1．场效应管的源极s、栅极g、漏极d分别对应于三极管的发射极e、基极b、集电极c，它们的作用相似。 2．场效应管是电压控制电流器件，由vGS控制iD，其放大系数gm一般较小，因此场效应管的放大能力较差；三极管是电流控制电流器件，由iB（或iE）控制iC。 3．场效应管栅极几乎不取电流（ig?0）