量子限制杂质能级间跃迁及其在太赫兹发光器的应用研究-理论物理专业毕业论文.docxVIP

量子限制杂质能级间跃迁及其在太赫兹发光器的应用研究-理论物理专业毕业论文.docx

  1. 1、本文档共114页,可阅读全部内容。
  2. 2、原创力文档(book118)网站文档一经付费(服务费),不意味着购买了该文档的版权,仅供个人/单位学习、研究之用,不得用于商业用途,未经授权,严禁复制、发行、汇编、翻译或者网络传播等,侵权必究。
  3. 3、本站所有内容均由合作方或网友上传,本站不对文档的完整性、权威性及其观点立场正确性做任何保证或承诺!文档内容仅供研究参考,付费前请自行鉴别。如您付费,意味着您自己接受本站规则且自行承担风险,本站不退款、不进行额外附加服务;查看《如何避免下载的几个坑》。如果您已付费下载过本站文档,您可以点击 这里二次下载
  4. 4、如文档侵犯商业秘密、侵犯著作权、侵犯人身权等,请点击“版权申诉”(推荐),也可以打举报电话:400-050-0827(电话支持时间:9:00-18:30)。
  5. 5、该文档为VIP文档,如果想要下载,成为VIP会员后,下载免费。
  6. 6、成为VIP后,下载本文档将扣除1次下载权益。下载后,不支持退款、换文档。如有疑问请联系我们
  7. 7、成为VIP后,您将拥有八大权益,权益包括:VIP文档下载权益、阅读免打扰、文档格式转换、高级专利检索、专属身份标志、高级客服、多端互通、版权登记。
  8. 8、VIP文档为合作方或网友上传,每下载1次, 网站将根据用户上传文档的质量评分、类型等,对文档贡献者给予高额补贴、流量扶持。如果你也想贡献VIP文档。上传文档
查看更多
山东大学博l:学位论义摘要 山东大学博l:学位论义 摘要 太赫兹(THz)辐射波具有很多极其优越的特性,在基础科学研究和实际 应用等众多领域具有重要的学术和应用价值,对THz辐射源的研究受到了广 泛关注。半导体量子点的电荷载流子在j维方向上受到限制,具有类原子的 量子化分立能级结构,可以抑制各种非辐射散射。通过改变量子点的形状和 尺寸,可以调节和控制其能级结构,因此量子点THz激光器倍受人们重视。 但是,目前量子点的制备技术还不成熟,不能准确地控制量子点生长的尺寸、 形状、分布和定位,还会引入缺陷,从而产生非均匀的能级展宽,严重影响 THz激光器的单频性。 我们提出了一种实现零维量了点结构的新渠道:用量j,限制杂质原予来 实现量子点的特性。通过对量子限制在GaAs/AIAs多量子阱巾受主杂质态的 静力学性质和动力学性质的研究,证明了量了限制杂质原予具有量子点的特 性,可以看作是一个单电子(空穴)量子点。采用MBE和6.掺杂方式实现了 杂质原子在量子阱中的精确定位生长。 建立了P型6.掺杂量子阱的势模型,数值计算了量子阱中6.掺杂势对量 子阱中价带子带的影响。 量子限制杂质原子能级间隔一般是在几个meV NJL十个meV之间,正 处于THz范围内。本文提出了一种产生THz辐射的新途径:利用量子限制杂 质内能级之间的跃迁实现THz激光器。 本文从实验和理论两方面对限制在GaAs/AIAs量子阱中的量子限制铍 (Be)受主的能级结构和受主能级之间的跃迁进行了研究,研究了量子限制 效应对受主能级结构和受主态寿命的影响和调制作用,展示了量子限制受主 杂质具有量子点的特性,研究了利用量子限制杂质能级之间的跃迁实现太赫 兹发光的新途径。 1.通过光致发光谱和傅里叶变换远红外吸收光谱测量实验,研究了阱中 央6.掺杂Be受主的GaAs/AIAs多量子阱系统的光学性质,研究了GaAs/AIAs 多量子阱中受主的能级结构及其在量子限制效应作用下的可调性。 测量了一系列不同阱宽的6.掺杂Be原予的GaAs/AIAs多量子阱样品和 GaAs:Be外延单层样品的光致发光(PL)谱和远红外(FIR)吸收谱。在PL I 山东大学博:I:学位论文谱中清楚地脱察到了束缚激子受主的两空穴跃迁,测罩了受主态ls一2s跃迁能 山东大学博:I:学位论文 谱中清楚地脱察到了束缚激子受主的两空穴跃迁,测罩了受主态ls一2s跃迁能 随量子阱宽度变化的关系。在FIR谱中清楚地观察到了来源于Be受土lS基 态到它的三个奇宇称激发态的受主带内跃迁吸收线。结果发现,Be受主束缚 能、lS基态跃迁到2s和各2p激发态的跃迁能均随着量.了阱宽度的减小而增 人。 2.建立了P型6.掺杂量子阱的势模型,采用有效质量包络函数近似理论 和有限差分打靶迭代算法,计算了量子阱中6.掺杂杂质电离势和量子阱阱宽 对蕈子阱中价带子带的影响,得出以下结论: 随着Be受主6.掺杂浓度的增加,受士电离引起的V形势阱深度增加, 使重空穴子带HHo和轻空穴子带LHo的能量增大而向阱底方向移动。随着受 主掺杂浓度的增加,HHo和LHo的能量增量增加,HHo与LHo的能级间隔增 大。低温下、掺杂浓度较低时,这种影响很小。当量子阱宽度较窄、受主掺 杂浓度大、电离程度高时,6.掺杂杂质的电离势对量子阱中价带态的影响非常 明显,HHo能量增加几十meV,LHo能量增加超过100meV。在相同的Be受 主6.掺杂浓度下,随着GaAs量子阱阱宽的减小,空穴子带HHo和LHo的能 量增大而远离阱底,HHo与LHo的能级间隔也增大。 3.在有效质量包络函数近似下,采用变分法理论计算了限制在 GaAs/AIAs量子阱中央的Be受主的束缚能和受主能级间的跃迁能。 计算结果表明,随着量子阱宽度的减少,处在GaAs/AIAs多量子阱中央 的Be受丰的束缚能逐渐增大,在阱宽为0.7nm时,束缚能出现了一个峰值, 然后随着量子阱宽度的进一步减小,受主束缚能又单调下降;限制在量子阱 中央的Be受主ls.2s、ls.2px、ls一2p:的跃迁能均随着量子阱宽度的减小而单 调增大。理论计算结果与PL谱和FIR吸收谱的实验测量结果一致。 4.采用皮秒自由电子激光时间分辨平衡泵浦.探测方法,对6.掺杂在 GaAs/AIAs多量子阱中央的Be受主内空穴从2p激发态跃迁到ls基态的弛豫 动力学进行了研究。 改变测量温度和泵浦激发光波长,对多量子阱样品进行了平衡泵浦.探测 实验。结果发现,多量子阱中Be受主的2p激发态寿命随着量子阱宽的下降 而减小,而且与温度无关,但却强烈地受激发光波长影响。研究表明,量子 阱中Be受主2p_ls跃迁的弛豫过程主要是由布区折叠声学声子的散射引起 n 山东大学博‘}:学位论文的。随着罩子阱宽度的减小,量子限制效应对布区

您可能关注的文档

文档评论(0)

131****9843 + 关注
实名认证
文档贡献者

该用户很懒,什么也没介绍

1亿VIP精品文档

相关文档