新 疆大学信息科学与工程学院电子线路（线性部分）课件第二章第二节 晶体三极管的其它工作模式.pptVIP

第二节 晶体三极管 ——————的其它工作模式 * * 当两个PN结均加正向偏置电压。 晶体三极管内部载流子传输过程： 可分解为两个方向，相反的传输过程的叠加。 （1）、正向传输：假设，发射结正偏置，集电结零偏置。 1、饱和模式 ： N IF P N R1 IB IE IC IR R2 V2 V1 E C B 晶体管内部载流子传输示意图 发射结产生的正向偏置电流为 IF ，现将它转移到集电极， 则为 N IF P N R1 IB IE IC R2 V1 C E B （2）、反向传输：假设，发射结零偏，集电结正偏。 N P N R1 IB IE IC IR R2 V2 E C B 由集电结正偏产生的反向传输电流为 IR ，转移到发射极的电流为 与 分别为共基极连接时，正向电流传输系数和反向电流传输系数。 综合分析： 由此可见，在饱和模式下，IE 和 IC 将同时受到两个结正偏电压的控制作用，已不再具有放大模式下得正向受控作用。 若 VBC IE 、IC 由于 IR 增加了IR 的空穴电流成分 IB IR 因此，IC 与 IE 之间或 IC 与 IB 之间均不满足放大状态下的电流传输方程。 在饱和模式下，它们可近似的用两导通电压表示。 即 VBE(sat) 与 VBC(sat) 称为饱和导通电压 对于硅管，一般取 VBE(sat) ≈ VBE(on) =0.7V VBC(sat) ≈ VBC(on) =0.4V 当共发射极连接时： VBE VCB VCE VCE = VCB + VBE = VBE - VBC = 0.7V – 0.4V = 0.3V 当晶体三极管处于饱和状态时，其饱和压降为 VCE(sat) = 0.3V (对小功率晶体三极管而言)