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适用于电力系统设备的新一代高压IGBT模块 第45卷第10期 2011年lO月 电力电子技术 PowerElectronics Vo1.45,No.10 0ctober2011 适用于电力系统设备的新一代高压IGBT模块 龚熙国 (三菱电机机电(上海)有限公司,上海200336) 摘要:描述了新一代R系列高压绝缘栅双极型晶体管模块(HVIGBT)的技术特点,性能及其在电力系统中的应 用.该模块采用优化平板MOSFET栅轻穿通IGBT技术和软反向恢复高压二极管技术.实现了优异的低损耗性 能和高鲁棒性.同时具有平滑的开关特性,卓越的安全工作区能力和低漏电流.实验证明,这些特性能很好地 满足电力系统设备对电力电子器件的要求. 关键词:绝缘栅双极型晶体管;高压;软反向恢复 中图分类号:TN32文献标识码:A文章编号:1000—100X(2011)10—0131-02 NewGenerationHighVoltageIGBTModulesforPowerSystemApplication GONGXi.guo (MitsubishiElectricamp;Electronics(Shanghai)Co.,Ltd.,Shanghai200336,China) Abstract:AnewgenerationofhighvoltageIGBTmodule(HVIGBT)ispresented.ThisHVIGBTmodule,usingfine planarMOSFETgatelightpunchthroughtechnologyHVIGBT(FP—UyI1一HVIGBT)andsoftreverserecoveryHV-diode (SR-HVDi)structures,exhibitsanexceptionallylowlossesandhighrobustness.Detailedtestresultshighlightthesmooth switchingcharacteristics,extremelysafeoperatingareasandlowleakagecurrent.Theseperformancescanwellmeetthe requirementsonpowerelectronicsdevicesinpowersystemapplication. Keywords:insulatedgatebipolartransistor;highvoltage;softreverserecovery 1引言 电力电子器件是电力电子技术的基础和核 心.在电力系统应用领域,以晶闸管为代表的半控 型器件和以可关断晶闸管(GTO),IGBT为代表的 全控型器件都有广泛的应用.甚至在GTO基础上 发展起来的新型电力电子器件集成门极换流晶闸 管也进入实用阶段.IGBT模块结合了双极型晶体 管和MOSFET的优点.性能优良.在电力系统应用 中显示出巨大的潜力.这里介绍了一种适用于电 力系统电能变换装置的新型R系列HVIGBT. 2R系列HVIGBT的硅片技术 2.1IGBT硅片技术 图1给出了新型R系列HVIGBT与前一代H 系列HVIGBT的硅片结构对比.由图可见,R系列 HVIGBT采用了优化的平板MOSFET栅技术,表 现为:通过增加N层优化的载流子浓度.,更薄的 N一缓冲层和轻穿通结构.采用这些改进技术,可大 大降低IGBT的通态损耗. 定稿日期:2011-08—09 作者简介:龚熙国(1979一),男,山东青岛人,研究方向为 电力电子器件及应用. H系ljR系《 图I两代HVIGBT的IGBT硅片结构对比 在相同条件=125oC,V:1.8kV,,c=1.2kA, ~=200Hz.功率因数为1时.对3.3kV/1.2kAH系 列和3.3kV/1.5kAR系列HVIGBT进行功耗仿真. IGBT和反并联二极管(FWD)的损耗结果如表l所 示.可见,R系列比H系列的IGBT静态损耗降低 22%,整体损耗降低约14%. 表1H系列与R系列HVIGBT功耗仿真比较 模块静开静恢 图2为R系列与H系列HVIGBT的硅片电流 密度与饱和压降间的特性关系曲线.可见, R系列HVIGBT显示出很强的正温度系数特性. 这对于IGBT模块的并联应用是非常重要的. 131 堕～ 一 第45卷第1O期 2011年10月 电力电子技术 PowerElectronics Vo1.45,No.10 October2011 銎;一 2.2反并联二极管硅片技术 图3为R系列HVIGBT模块FWD硅片结构 剖面图.该新型二极管通过优化的掺杂技术和寿 命控制,能减小反向恢复电流.从而降低反向恢复 峰值功率和IGBT开通损耗.考虑到峰值功率和 di/dt特性.二极管应