硫族半导体材料电子结构计算及其量子点电致发光器件-微电子学与固体电子学专业毕业论文.docxVIP

摘要硫族半导体材料作为·类重要的半导体材料，具有良好的光电特性，被广泛地应用 摘要 硫族半导体材料作为·类重要的半导体材料，具有良好的光电特性，被广泛地应用 于显示和照明等领域。本文主要研究了ZnS和PbS两种典型的硫族半导体材料。首先采 用第一性原理模拟计算方法，对闪锌矿结构的ZnS、ZnS：Er以及面心结构的PbS进行 了计算，分析了材料的电子结构、光学性质以及它们之问的联系，尤其是分析了掺杂6玎 后ZnS电子结构和光学性质的变化，为实验数据的分析提供了理论依据。接着，将制备 的ZnS：Er和PbS量子点用于发光层材料，将PVK和MEH—PPV有机物作为功能层制备了 量子点电致发光器件，对器件的电致发光光谱进行了分析，探讨了有机功能层对量子点 发光器件性能的改善。 1)采用第一性原理的超软赝势和广义梯度近似(GGA—PBE)，对2X 2×1超晶胞结 构的ZnS及其替代式掺杂Er3+离子后的超晶胞(Er什离子浓度分别为6．25％,n 12．5％)进 行了模拟计算，计算中Monkhorst—Pack网格点选为2×2×4，平面波截断能选为360 eV。 计算结果表明，纯ZnS为直接带隙半导体，Er3+离子掺杂之后的体系能带变窄，导致吸 收光谱红移。分析掺杂Er3+离子之后的电子结构，发现Er3+离子的4f态形成了一个新的 独立能带，使得掺杂之后体系的吸收效率有所提高； 2)对面心结构的PbS先计算进行了不同截止能下体系总能量的收敛性测试，选取 了450 eV作为最优截止能进行计算。计算得出导带的最低点与价带的最高点位于同一 个对称点L处，带隙值约为0．54 eV，说明面心结构的PbS为直接带隙半导体材料。在 在光学性质分析中，计算出体系的吸收谱，反射谱以及损耗函数谱。 3)制备了单层和双层ZnS：Er器件以及PVK／ZnS：Er复合薄膜发光器件。分析器件 电致发光谱发现在电压较低时，电子先注入到能念较低的ZnS缺陷能级，而Er。+离子俘 获电子的概率较低，因此只获得ZnS基质的光。随着电压值的升高，注入的电子逐渐向 ZnS高能念的缺陷能级注入，使得发射出的光发生蓝移现象。当电压继续增加高于一定 电压后，电子被Er3+离子俘获的几率增大，被俘获的电子由1F。!跃迁到基态，发射出650 nm的光。与ZnS：Er电致发光器件相比，PVK／ZnS：Er复合薄膜发光器件的光谱发生宽 化，通过拟合光谱，初步认为是因为PVK、ZnS基质以及Er3+离子共同被激发发光的原因 导致： 4)制备了单层MEH-PPV、单层PbS量子点以及MEH-PPV／PbS复合薄膜电致发光器件， 对比三者的电致发光谱发现，在MEH-PPV／PbS复合薄膜器件中，加入的MEH—PPV薄膜降 低了电流焦耳热对光谱红移造成的影响，同时MEH—PPV作为空穴传输材料，使得空穴与 电子的复合区域移动到PbS量子点层，并提高了器件的发光效率。 关键词： 硫族半导体第一性原理计算有机无机复合发光 AbstractAs Abstract As an important semiconductor material，chalcogenide semiconductor material has excellent photoelectronic characteristics and is widely used in the display and lighting area．In this dissertation，we focus on two typical chalcogenide semiconductor materials，ZnS and PbS． First，we calculated the electronic structure and optical properties of zinc—blend structure ZnS， ZnS：Er and face．centered structure PbS and discussed their relevance，which provide a reasonable theoretical basis for experimental research．Then．the quantum-dots based electroluminescence(EL)devices with quantum—dots emitting layer and polymer functional layer were prepared and their EL mechanism were discussed． (1)Tlle 2×2×1 supercell of pure ZnS and Er3+doped ZnS w