离子注入硅退火及退火过程热力学研究-材料学专业毕业论文.docxVIP

＼mY㈣1m9㈣1Ⅲm7帆9l＼讯2106矾 ＼mY㈣1m9㈣1Ⅲm7帆9l＼讯2106矾 原创性声明 本人声明，所呈交的学位论文是本人在导师指导下进行的研究 工作及取得的研究成果。尽我所知，除了论文中特别加以标注和致谢 的地方外，论文中不包含其他人已经发表或撰写过的研究成果，也不 包含为获得中南大学或其他单位的学位或证书而使用过的材料。与我 共同工作的同志对本研究所作的贡献均已在论文中作了明确的说明。 作者签名： 日期：』盟年jL月掣日 学位论文版权使用授权书 本人了解中南大学有关保留、使用学位论文的规定，即：学校 有权保留学位论文并根据国家或湖南省有关部门规定送交学位论文， 允许学位论文被查阅和借阅；学校可以公布学位论文的全部或部分内 容，可以采用复印、缩印或其它手段保存学位论文。同时授权中国科 学技术信息研究所将本学位论文收录到《中国学位论文全文数据库》， 并通过网络向社会公众提供信息服务。 作者签名： 导师签名 摘 摘 要 离子注入及退火工艺是半导体工艺掺杂的重要手段，是大规模及超大规模集 成电路、光电集成电路的重要工艺环节，在“杂质工程”及“能带工程”中发挥 着不可替代的作用。但多年来，人们的精力及兴趣大多集中在实验和工艺研究领 域，理论研究工作深度不够，这当然不利于离子注入及退火研究的深入开展。本 研究课题试图在一定程度上弥补这一缺陷。 本文全面总结了离子注入硅及离子注入硅退火的发展历史，方式方法及应用 领域和应用前景，并重点对离子注入硅退火的若干理论问题进行了系统研究，其 研究内容包含以下3个主要部分： ．t．离子注入硅退火的温度计算 根据入射能量与吸收、传导或辐射能量间的平衡，首先对绝热、热流和等温 三种退火模式及液相和固相两种退火机理进行了温度计算。 绝热模式适用于脉冲激光或电子束退火，由于热量来不及向周围环境散失或 向内部扩散，吸收的能量全部用以升高表面层的温度或使表面层发生熔化。据此 计算了表面退火温度与入射功率密度的关系，并得到了使用脉冲长度为lOOns的 激光，退火所需的入射功率密度约为10 7w／era2，以及要使100～500nm的表层发 生熔化，所需激光功率密度的数量级为106～10 7W／cm2的计算结果。根据相变潜 热与进入衬底的热流间的平衡，算出了液．固界面的速度约为8X 102cm／s，并由 此得出对于绝热模式的退火，其退火机理只能是液相再结晶的结论。 在热流模式下，表面吸收的热量向硅片内部传导。考虑两种不同的情况：① 热扩散长度远小于硅片的厚度，硅片可看作无限厚。文中介绍了温度随时间及深 度分布的解析解，并得出了吸收长度远小于热扩散长度时，热流模式过渡到绝热 模式的结论；②对于激光照射时间达ms数量级、热扩散长度与硅片厚度相近的 所谓连续激光退火，列出了热传导微分方程及相应的边界和初始条件，得出了温 度分布的级数解，并具体计算了表面退火温度的升高与入射激光功率密度的函数 关系，以及表面温升达1400。C(接近硅的熔点)时，温升△丁与深度X的函数曲 线。 等温模式下，材料内部的温度梯度消失，表面吸收的能量只能通过热辐射散 失。本文根据入射能流密度与辐射损失的能流密度问的平衡，特别针对我们自制 的碘钨灯快速热退火装置，计算了退火温度与热源功率及衬底温度的关系，得出 最大碘钨灯功率为2．6kW的结论，其计算结果与实验结果符合得较好。 2．离子注入退火中的结晶问题 根据形核过程的热力学理论，分别对液相和固相再结晶两种情况进行了较为 深入的研究。 1)液相再结晶：在均匀形核理论的基础上，重点计算了平面形核时的临界 晶核半径、临界形核功及最大形核率。计算中设晶核为圆柱形，分“棒”状和“盘 晶核半径、临界形核功及最大形核率。计算中设晶核为圆柱形，分“棒”状和“盘 状两种情况进行讨论。对于“棒”状晶核，临界晶核半径只有均匀形核的一半， 最大形核率对应的过冷度为Tm／2(小于均匀形核的2Tm／3)，临界形核功与高度 成正比。对于“盘”状晶核，临界半径和临界形核功均增加，最大形核率对应的 高度为0．35nm，约等于一个硅原子的直径，说明随着表面积的增加，表面能增 加，形核变得更为困难。无论晶核形状如何均可得出如下结论：与均匀形核相比， 平面形核因为有固态衬底作为天然的二维晶核变得较为容易，但形成“棒”状核 的概率更大，而硅片的液相再结晶过程则基本上是逐层进行的。 2)固相再结晶：首先由无定形相和结晶相的自由能差以及表面自由能数值， 计算了固相均匀形核的临界晶核半径、临界晶核包含的原子数、形核功及最大形 核率，然后将其推广到固相平面形核的情形。主要计算结果如下：晶核大多呈“棒 状，与均匀形核相比，临界晶核半径及包含的原子数减少，临界形核功降低，形 核概率随着晶核高度的增加而减小。文中还以SiGe半导体