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ESD失效分析FA及案例介绍 (1)一般的失效机理 (2)失效分析的案例 (3)各种测试的校准和比对性 (4)模型和仿真 (1)一般的失效机理 ESD的失效是一个综合问题：器件结构－工艺－测试方法－ESD形式－工作环境。。。有关。 ESD的HBM模式的失效是一个很复杂的问题，目前只有是失效模型，没有器件模型，而是失效模型仿真的结果也只能参考，而对于MM和CDM的ESD在测试上还有很大争议。 不同于电路设计：“well-defined iron-rules like the Kirchoff Laws”。 即使有大量的论文介绍也是：“Every paper seems to report a different result that might only be valid for that device in that process technology, tested in that ESD model and done by using that piece of equipment.” (1)一般的失效机理 失效包括： 硬失效：如短路、开路、显著漏电流、I-V曲线显著漂移，可以用显微镜和测试仪器获得，是介质还是金属布线还是器件其他部位。典型的硬失效是热损伤（出现在电流集中最大的地方（电场集中出）导致受热不均匀或过热），包括互连线、contact/via、硅和介质；介质击穿（主要是栅氧击穿） 软失效：漏电流（例如10-9－－－10-6），峰值电流等，外观上无法看出，可以使用CURVE TRACER、semiconductor parametric analyser测量出，并分析失效部位 潜在失效：很难观察到。主要是specification下降、电学特性退化、寿命降低。典型的是介质的局部损伤（例如time-dependent dielectric breakdown (TDDB) of gate oxide layers,并伴随漏电流增加，阈值电压漂移，功率容量下降等） (1)一般的失效机理 失效分析的手段： （1）形貌观察： 光学显微镜：最常用，观察器件的表面和逐层剥除的次表面。对于光学显微镜放大倍数是500倍，使用冶金显微镜可以达到1000倍，使用特殊的液体透镜技术，可以达到1500倍，1000-1500可以观察到1微米线宽缺陷。 SEM：更高倍数15000倍，使用背散射二次电子和样品倾斜台还可以获得一定的三维图像），存在电荷积累，可以使用扫描离子显微镜SIM，TEM：更高的解析度。可以观察缺陷位错。不需要真空的可以用AFM：会受到表面电荷等的影响。 对于需要透视观察的，平面的可以用SAM（电声显微镜，特别是铝钉），三维的可以用X射线显微镜，或者使用RIE：反应离子刻蚀，逐层剥除观察。 FIB：聚焦离子束，用离子束代替电子束观察显微结构，可以透视剥除金属或者钝化层观察，所以FIB也可用于VLSI的纠错（可以加装能谱） (1)一般的失效机理 失效分析的手段： 2）对于电流的分布（热点）观察： LCA：液晶法观察微区温度 EMMI：电子空穴复合产生光子观察电流的大小 电子探针技术：使用电压/电流对二次电子谱的影响， OBIRCH ：红外加热导致电阻变化，可以透射观察 热成像仪 （3）成分观察： EDAS、电子微探针显微分析(EPMA)、俄歇电子能谱(AES)、x射线光电子能谱(xPS)、二次离子质谱(SIMs)等方法 典型的失效形式 1、D-S silicon filament defect due to high ESD stress field 2、gate oxide films breakdown due to high ESD electric field 3、ESD damages in metal interconnect due to joule heating 4、latent ESD failure 1、D-S silicon filament defect 下图是一个典型的双极保护电路，其中扩散电阻R 在HBM ESD冲击下损伤在FOD的末端，特征是热损伤－细丝状损伤，位置drain和gate互连末端的contact ，并热扩散到source一边，这种热损伤很普遍，D-S silicon filament defect. 在MM ESD冲击下，有类似的D-S silicon filament defect.此外器件的两端有点状烧损和横跨drain区域的丝状烧损，这些是MM典型特征，MM有环振特点（持续30ns），所以每个振荡峰值点就会在器件不同部位上留下一个细丝 在CDM ESD冲击下，有类似的D-S silicon filament defect，但